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溶胶-凝胶工艺制备SrTiO3纳米薄膜的研究2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
(中国科学院半导体所材料中心,北京100083)摘 要:采用溶胶-凝胶方法,以醋酸锶、钛酸四丁酯为前驱体,乙酰丙酮为螯合剂,乙二醇甲醚为溶剂,乙酸为助溶剂和催化剂制备溶胶,用...[全文]
国外半导体制造设备市场2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
(中国电子科技集团公司第四十五研究所,北京东燕郊,065201)摘要:概述了国外半导体制造设备市场现状、市场总规模变化、分类设备市场,探讨了半导体制造设备市场的发展趋势。关键...[全文]
Used Equipment——Recognizing the “total cost”2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
there are primarily three reasons why a device manufacturer would want to buy surplus/u...[全文]
晶体生长设备的真空系统设计2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
李留臣(西安理工大学晶体生长设备研究所,西安 710048)摘 要:阐述了降低真空系统漏气率的一些措施,包括真空系统设计中的结构设计、密封形式的选择、密封材质的选用等,提出了...[全文]
半导体晶圆制造中的设备效率和设备能力2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
梁静,钱省三(上海理工大学工业工程研究所/微电子发展研究中心,上海 200093)摘要:在半导体制造车间中,设备是非常昂贵的,设备折旧与维修占生产成本组成的最大比重,设备利用...[全文]
基于电流变效应的超精密工件台研究与展望2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
陈亚英 , 朱 煜(清华大学精仪系制造所,北京 100084) 摘 要:通过分析超精密工件台系统的研究现状和存在问题及电流变液erf的机理和应用现状,提出 “基于erf半主动...[全文]
2005/2006年全球半导体资本支出与半导体设备市场2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
(无锡市罗特电子公司,江苏 无锡 214001)摘要:介绍了2005/2006年全球半导体资本支出与半导体设备市场。全球半导体设备市场步入温和下滑周期。关键词:半导体资本,支...[全文]
细微间距元器件的自动化操作2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
华东计算机技术研究所胡志勇 2002-9-29 13:06:28 国际电子设备对于电子产品的设计来说,尺寸越小越好。从最新的移动电话到个人数字化助手(personal dig...[全文]
PID调节器对制备纳米钛薄膜的重要作用2008/6/5 0:00:00
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方昕1,方仁昌2(1.中国工程物理研究院工学院,四川 绵阳 621900;2.中国工程物理研究院电子工程研究所,四川 绵阳 621900)摘要:简述了ibad(离子束辅助沉积...[全文]
自组装半导体量子点在纳米电子器件中的应用2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
孙 捷(中国科学院半导体研究所 半导体材料科学重点实验室, 北京 100083)摘要:随着微电子工艺逐渐逼近其物理极限,具有量子特性的纳米电子器件的研制被提上日程。自组装半导...[全文]
平面带隙结构在微波和毫米波集成电路中的应用2008/6/5 0:00:00
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张文梅1,2 李小卫2, 毛军发1,孙晓玮2(1.上海交通大学电子与电气工程学院,上海200030;2.中科院上海微系统与信息技术研究所,上海200050)1引言光子带隙结构...[全文]
储氢碳纳米管与氢原子相互作用的量子力学研究2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
(北京师范大学化学系, 北京 100875)摘要:应用oniom方法对单壁碳纳米管储氢进行了研究,由高到低分别应用密度泛函(dft)b3lyp 方法、hf方法与am1方法对其...[全文]
碳纳米管材料特性分析2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
 碳纳米管具有奇异的物理化学性能,如独特的金属或半导体导电性、极高的机械强度、储氢能力、吸附能力和较强的微波吸收能力等,90年代初一经发现即刻受到物理、化学和材料科学界以及高...[全文]
微乳化技术在纳米材料制备中的应用研究2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
一般情况下,我们将两种互不相溶液体在表面活性剂作用下形成的热力学稳定的、各向同性、外观透明或半透明、粒径l~100nm的分散体系称为微乳液。相应地把制备微乳液的技术称之为微乳...[全文]
气相生长纳米炭纤维的研究进展2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
1 气相生长纳米炭纤维概述  炭纤维是一种主要以sp2杂化形成的一维结构炭材料。根据其合成方式和直径不同可分为:有机前躯体炭纤维(pan基、粘胶丝基、沥青基炭纤维)、气相生长...[全文]
纳米材料涂层的界面分析2008/6/5 0:00:00
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黄新波,康春霞,贾建援(西安电子科技大学机电学院,陕西 西安 710071)摘要:采用真空熔烧法制备了钴基合金-碳化钨复合纳米材料涂层,利用电子探针测得了界面两侧元素的浓度分...[全文]
氮化物衬底材料的研究与开发2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
主办:上海市科委发展计划处    上海市科学学研究所      本 期 内 容 导 读    宽带隙的gan基半导体在短波长发光二极管、激光器和紫外探测器,以及高温微电子器件...[全文]
发展氮化镓集成电路的考虑2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
袁明文(中电科集团第十三研究所,河北 石家庄050051)1引言gan是一种热学和化学性能都很稳定的化合物半导体材料,特别适于制造高温器件。其代表性器件algan/gan h...[全文]
高性能新结构InGaP/GaAs异质结双极型晶体管2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
报道了一种采用u形发射极新结构的高性能ingap/gaas hbt.采用自对准发射极、leu等先进工艺技术实现了特征频率达到108ghz,最大振荡频率达到140gh...[全文]
半导体材料的电子和空穴质量2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
material electron mass hole mass alas 0.1 alsb 0.12 mdos=0.98 gan 0.19 mdos=0.60...[全文]
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