- 谐振2017/6/22 19:37:59 2017/6/22 19:37:59
- 实际上,所有的电容都包含一个LCR电路,这里L是和引线长度有关的电感,R是引线电阻,C是电容。图5.2显示的是实际电容的示意图。在一定的频率上,L和C串联将产生振荡提供非常低的阻抗...[全文]
- 传导骚扰与接地2017/6/7 21:01:03 2017/6/7 21:01:03
- 案例1:传导骚扰与接地【现象描述】AAT3151IWP-T1某产品在进行传导骚扰测试时的配置图,如图2.5所示。图2.5所示配置下的传导骚扰测试结果如图...[全文]
- 共模传导性抗扰度测试实质2017/6/6 21:03:39 2017/6/6 21:03:39
- 以共模为主的传导性抗扰度测试有很多,如IEC61O00-4-6或⒙0ll笱2-7标准规定的传导抗扰度测试;标准L4006L5规定的电快速瞬变脉冲群(EFT/B)测试;标准IE“1000-...[全文]
- 澄清环路引起的差模辐射量级2017/6/5 19:30:42 2017/6/5 19:30:42
- 澄清环路引起的差模辐射量级中国EMC起步较晚,但是发展较快,经过几年的发展,越来越多的企业及其I程师已经渐渐了解了EMC,也逐渐掌握了一些EMC设计规则,并用以指导产品的设计。C0...[全文]
- LVSI的发展对测试技术的挑战2017/6/2 22:19:54 2017/6/2 22:19:54
- (1)内外带宽差异与集成电路内部器件数量和速度的飞速增长相矛盾的是外部封装引脚数的限制。平均每VES220M1H0605-TR0个引脚对应的内部器件数越多,内部节点的可测性与可控性...[全文]
- 未来封装技术展望 2017/6/1 21:13:06 2017/6/1 21:13:06
- 现在,集成电路产业中的微电子封装已与集成电路设计和集成电路制造一起密不可分,而往往设计制造出的同一块集成电路芯片却采用各种不同的封装形式和结构。PCI1410PGE根据集成电路的发展及电子整机和...[全文]
- 一级微电子封装2017/6/1 20:32:43 2017/6/1 20:32:43
- 这一级封装是将一个或多个￡芯片用适宜的材料(金属、陶瓷、塑料或它们的组合)封装起来,同时,PBY160808T-221Y-N在芯片的焊区与封装的外引脚间用芯片互连方法连接起来,使之成为有实用功能...[全文]
- 微电子测试图形的功能与配置 2017/5/31 22:00:21 2017/5/31 22:00:21
- 微电子测试图形的功能微电子测试图形是工艺监控的重要工具,为微电子I业普遍采用。微电子测试图形是一组专门设计的结构,采用与集成电路制造相容的工艺,MAX882ESA+通过对这些结构的...[全文]
- 绝缘介质材料的选取2017/5/30 12:00:45 2017/5/30 12:00:45
- 要求介电常数低,介电常数愈低RC延迟时间愈短;此外,还应击穿场强高、漏电流低、体电阻率PAM2304AABADJ和表面电阻率大(一般应大于10bΩ・cm),即电学性能好;不吸潮、对...[全文]
- 无掩膜光刻(ML2)2017/5/27 20:34:34 2017/5/27 20:34:34
- 随着技术节/点的不断缩小,掩模板价格在芯片制造中的成本比重越来越不容小觑。以5nm掩模板为例,H5DU2562GTR-E3C其价格在120万美元左右,而一套2211n△工艺的掩模板成本预计在60...[全文]
- 离子束曝光2017/5/27 20:10:40 2017/5/27 20:10:40
- 离子束注人,是利用元素离子本身所具有的化学性质掺杂效应,通过将高能杂质离子注人到半导体晶体表面,以改变晶体表面的化学性质和物理性质;H26M42001EFR另外则可以利用离子本身具有的能量来...[全文]
- 分辨率2017/5/23 21:41:43 2017/5/23 21:41:43
- 分辨率是指一个光学系统精确区分目标的能力。微图形加工的最小分辨率是指光刻系统所能分辨和加工的最小线条尺寸或机器能充分打印出的区域。PMBT3904分辨率是决定光刻系统最重要的指标,能分辨的线宽越...[全文]
- 铜及其阻挡层薄膜的淀积2017/5/23 21:16:22 2017/5/23 21:16:22
- 铜互连系统是继铝互连系统之后广泛应用于超大规模集成电路的金属互连系统。表84所示是几种常用互连金属材料特性,从中可知铜的电阻率很低,只有铝的62%;而铜的抗电迁移性高,实际上比铝能高出两个数量级...[全文]
- 气相输运过程2017/5/21 17:52:10 2017/5/21 17:52:10
- 气相输运过程是源蒸气从源到衬底表面之间的质量输运过程。蒸气原子在飞行过程中可能与真空室内的残余气体分子发生碰撞,两次碰撞之OCP2156TWAD间飞行的平均距离称为蒸气原子的平均自由程(λ)。...[全文]
- 蒸发过程2017/5/21 17:41:47 2017/5/21 17:41:47
- 蒸发过程是蒸发源原子(或分子)从固体或液体表面逸出成为蒸气原子的过程。固态物BDCA-10-25质受热(或其他能量)激发,温度升高至熔点,熔化,再升至沸点,蒸发;或者由固态直接升华为气态。...[全文]
- 工艺及原理2017/5/10 22:15:32 2017/5/10 22:15:32
- 分子束外延示意图如图⒊17所示,分子束外延是在超高真空条件下,由装有各种所需组分源的喷射炉对各组分源加热,产生的源蒸气经小孔准直后形成分子束或原子束,MAX1705EEE直接喷射到适当温度的单晶...[全文]
- 加热系统2017/5/9 22:10:55 2017/5/9 22:10:55
- 加热系统。有冷壁和热壁两种类型。常压反LD2981CU50TR应器都使用冷壁加热系统,用射频线圈或红外辐射加热器直接加热基座,基座必须是对加热器敏感的易感器,而反应器的器壁并未被加热。低压反应器...[全文]
- 按用途划分2017/5/8 20:43:08 2017/5/8 20:43:08
- 硅片作为微电子产品的衬底,按照其用途来划分规格也是常用方法,如有二极管级硅片、M24C01-WMN6T集成电路级硅片、太阳电池级硅片等。在表22中给出了二极管级硅片的...[全文]
- 铝是硅器件或电路芯片中应用最多的内电极材料2017/5/7 17:11:42 2017/5/7 17:11:42
- 铝是硅器件或电路芯片中应用最多的内电极材料,铝-硅二元体系在热力学平衡状态的性质可以从相图获得。图⒈16所示就是铝一硅体系相图。GD75232PWR纯铝的凝固点(熔点)是660℃,纯硅的凝固点是...[全文]
- 垂直探测仪的扫描控制2017/5/4 19:14:00 2017/5/4 19:14:00
- 正如成像仪一样,垂直探测仪能以交替方式对所选区域进行扫描(即从西到东,再从东到西,反之亦然),并能从北到南和从南到北扫描。但是地面操作设各(OGE)仅能适应从北到南扫描。Q22FA23V0003...[全文]
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