- 电压衬度(voltage contraCt PⅤC)2017/11/14 20:51:10 2017/11/14 20:51:10
- 电压衬度是以SEM的电子束或FIB的离子束作为探针的定位技术・对不可见缺陷能够实现地址的准确定位,缩短失效分析的时间,是集成电路失效分析实验室应用最广泛的非接触式检测样品内部节点表...[全文]
- 扫描声学显微镜2017/11/13 20:37:09 2017/11/13 20:37:09
- 扫描声学显微镜:叉称超声波扫描显微镜,是利用超声波脉冲探测样品内部空隙等缺陷的仪器。SSL2101T超声波在介质中传输时,若遇到不同密度或弹性数的物质,会产生反射回波,而此种反射回波强度会因材料...[全文]
- 失效分析流程2017/11/13 20:17:42 2017/11/13 20:17:42
- 失效分析要从失效现场直至追溯到制造、设计及使用的各个阶段。分析过程通常可以划分为以下四大类:SN74HC04PWR(1)电性表征;(2)非破坏性分析;(...[全文]
- 失效分析基本原则2017/11/13 20:16:14 2017/11/13 20:16:14
- 失效分析是一系列严谨、SN74HC04PWLE逻辑性地解决问题的过程。任何随意的、缺乏缜密计划的分析可能破坏结果的一致性,导致错误的分析结果。囚此,失效分析必须遵守一定的原则。(D先非破坏性分析...[全文]
- MEEF随着热点两条不相容边缘之问的CD距离变化的曲线2017/11/12 17:06:35 2017/11/12 17:06:35
- 图13,11总结了MEE「随着热点两条不相容边缘之间的CD距离变化而变化的曲线。SAA7111AHZ这个图指出当CD距离小于100nm,就会产生OPC不相容边缘。而对于这种热点图形的距离上的约束...[全文]
- 高效的工作流程也是DFM能够在工业上得到应用的关键技术2017/11/12 16:48:25 2017/11/12 16:48:25
- 高效的工作流程也是DFM能够在工业上得到应用的关键技术。我们从两个方面介绍DFM的丁作流程。R060047300第一个是如何识别D「M的误差或者影响芯片制造和良率巾的热点(hotspots),同...[全文]
- 多晶硅栅极的N型和P型是利用多晶硅的厚度2017/11/12 16:39:18 2017/11/12 16:39:18
- 在CMOS的制程中,多晶硅栅极的N型和P型是利用多晶硅的厚度,离子置人(implant)和热制程(thermal)进行调整。然而随制程演进对超浅结的要求减少了相当多的制程,R05107ANP-0...[全文]
- 离子注入技术未来发展方向和挑战2017/11/10 22:25:14 2017/11/10 22:25:14
- 随着CMC)S技术延伸到32/28nm和22/20nm节点以下,传统的平面型器件也将被3D器件双栅Fi艹FET结构等取代,等离子体掺杂在半导体器件制造中应用也提上了日程,OP113FS并且越来越...[全文]
- 栅极表面预处理2017/11/7 21:39:43 2017/11/7 21:39:43
- 直接在Si上沉积高乃介质会导致电子迁移率的降低,因此在Si和高虑介质问引人一个界面层,如⒏O2「33]。这个界面层要求致密和均匀,便于高乃介质膜的生长。W134SH在高芡介质沉积之前,湿法生成一...[全文]
- 氮化硅HF/EG湿法刻蚀2017/11/7 21:26:53 2017/11/7 21:26:53
- H吖EG在氧化硅湿法刻蚀部分提过,它对氮化硅刻蚀率比氧化硅要快,比率约1.5:1,也不侵蚀硅,有时应用于CM()S的STI沟渠形成后氮化硅湿法回蚀步骤。W005G氮化硅HF湿法刻蚀...[全文]
- 红外灯辐射SPM光阻去除 2017/11/6 21:27:56 2017/11/6 21:27:56
- 据美国FSI公司报道,它的ViPR喷射棒(spraybar)在单晶片喷射清洗机上,使用高温(180℃以上)SPM制程,S912XEG128J2VAA对离子植人后的光阻,无需灰化,有较好的去除能力...[全文]
- 可广泛应用于PWM交流传动的能量回馈制动场合的节能运行2017/11/3 22:12:33 2017/11/3 22:12:33
- 1)可广泛应用于PWM交流传动的能量回馈制动场合的节能运行；2)回馈效率高，EZJZ1V171AA可达97%，热损耗小，仅为能耗制动的1010；3)功率因数约等于1；...[全文]
- 散光示意图2017/10/30 21:23:25 2017/10/30 21:23:25
- 15nm(X和Y方向的焦距差)以下的散光最低阶的是z2(X方向)、乙(Y方向)的非线性项(至少为2阶)。这种像差的存在会影响到整块曝光区域的共对焦深度(Depth>ocus,D()F),从而影响...[全文]
- 反握法就是用五指把电烙铁的手柄握在手掌中2017/10/28 10:41:31 2017/10/28 10:41:31
- 反握法就是用五指把电烙铁的手柄握在手掌中。采用这种方法焊接时动作比较稳定,R10938J50即使长时间焊接也不会感觉疲劳。当使用大功率的电烙铁时可采用此种握法,它也比较适用于焊接散热量较大的被焊...[全文]
- 输出电阻的测量2017/10/27 21:18:10 2017/10/27 21:18:10
- 放大器输出电阻R。的大小能够说明该放大器承受负载的能力。R。越小,放大器Z8F2480SJ020SG输出等效电路越接近于恒压源,带负载的能力越强。R。的测量也为后级电路设计提供条件。按图...[全文]
- HDP-CVD作用机理2017/10/18 21:08:21 2017/10/18 21:08:21
- 为了形成高密度等离子体,需要有激发混合气体的射频(RF)源,并直接使高密度等离子体到达硅片表面。NCV8403ASTT1G在HDPCVD反应腔中(见图4.14)[1彐,主要是由电感耦合等离子体反...[全文]
- 高K介质的选择2017/10/18 20:53:58 2017/10/18 20:53:58
- 如何选择高乃介质呢?首先高的乃值是一个主要的指标。表4.6列出了候选的介质和它们的芡值。NCP1380BDR2G根据材料的化学成分、制备方法和晶体结构等条件的不同,同一种材料可能具有不同的屁值。...[全文]
- 选择EUT的工作状态,并使之投人运行2017/10/10 20:50:31 2017/10/10 20:50:31
- 以台式EUT为例,给出一般的试验程序,仅供参考。测试时可结合具体情况拟订试验大纲及试验程序,REF3025AIDBZR以保障测量的科学性、有效性和可重复性。(1)严格按照产品/产品...[全文]
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