- 智能功率模块在变频系统中有什么作用？2015/11/21 19:49:06 2015/11/21 19:49:06
- 智能功率模块在变频系统中有什么作用？答：近年来，G2R-1A-E带驱动和保护电路的各种智能功率模块(IPM)也相继应用在变频系统中。IPM模块是将高速、低耗的三相逆变IGBT和优化...[全文]
- 什么是以U/f -C的正弦脉宽调制(SPWM)控制方式？2015/11/20 21:42:10 2015/11/20 21:42:10
- 什么是以U/f-C的正弦脉宽调制(SPWM)控制方式？答：U/f控制是为了得到理想的转矩一速度特性，基于在改变电源频率进行调速的同时，RC28F640P30B85又要保证电动机的磁...[全文]
- 变频调速方法有什么特点？适用于什么场合？2015/11/18 20:08:44 2015/11/18 20:08:44
- 变频调速方法有什么特点？适用于什么场合？答：变频调速方法的特点如下。(1)效率高，K4M563233E-EN1H调速过程中没有附加损耗。(2)应用范围广...[全文]
- 引脚在芯片上2015/11/16 19:12:01 2015/11/16 19:12:01
- 为大的芯片设计的引脚在芯片上(LOC)封装将压焊点位置移到了芯片的中部。FM20L08-60TG封装体的引脚坐在覆盖于芯片表面的一个衬垫上。三维封装“超越摩尔定律”已...[全文]
- 芯片尺寸的封装2015/11/16 19:10:21 2015/11/16 19:10:21
- 在集成电路领域，FM18L08-70-SG完美的封装就是没有封装体。公认的是任何封装体都会引出电阻、重量、使电路性能退化的机会和成本。总体来说，封装体尺寸越小，封装成本越低，从而可以达到更高的封...[全文]
- 金属罐法和双列直插式封装2015/11/16 19:05:45 2015/11/16 19:05:45
- 金属罐法使用圆柱形的封装体，其引脚排列延伸至基底（见图18.37），芯片连接在基底i，FL016A15芯片与跟外部引脚相连接的导柱之间完成线压焊连接，、顶盖与基底相对称的法兰焊接在…起形成密封型...[全文]
- 封装设计2015/11/16 19:03:55 2015/11/16 19:03:55
- 直到20世纪70年代早期，FL0026大多数芯片不是被封装到一个金属壳中（俗称“金属罐”），就是被封装成人们熟知的双列直插式(DIP)。随着芯片尺寸的缩小和集成度提高的趋势，以及有特殊封装要求（...[全文]
- 封装体打标记2015/11/16 18:58:39 2015/11/16 18:58:39
- 靼料封装器件会经过一道额外的工序，称为外部打磨(deflashing)，FDZ208P用于将塑封体外壳上的多余毛刺去除掉。外部打磨用两种方法实现，或是将封装体浸入到化学品池中，然后再用清水冲洗，...[全文]
- 逻辑电路2015/11/14 16:17:17 2015/11/14 16:17:17
- 模拟一数字逻辑电路：逻辑电路分模拟逻辑电路和数字逻辑电路（见图17.6）。IR21084S模拟电路是最早歼发的电路。一个模拟电路有一个与输入成比例的输出。而数字电路则针对各种输入变化进行预定的输...[全文]
- 注入阱和传统的阱2015/11/13 21:33:11 2015/11/13 21:33:11
- 通过扩散形成深阱技术要求大的热预算，而这些NUD4011DR2G热会加剧产生横向扩散问题和应力问题。现在，离子注入阱十分普及。另外，NUD4011DR2G用离子注入，可以控制阱在垂直方向上的掺杂...[全文]
- 工艺生产数据也像以上例子给出的分布一样2015/11/12 20:14:57 2015/11/12 20:14:57
- 工艺生产数据也像以上例子给出的分布一样。这个数学分布就是著名的高斯分布。一个AD9200JST很好的例子是草坪中草叶的高度。如果所有的草叶高度都得到测量并画在直方图上，其分布会是熟...[全文]
- 工厂层次的自动化2015/11/12 20:04:49 2015/11/12 20:04:49
- 更高水平的工艺和设备的自动化，HY5PS121621BFP-C4以及库存控制系统的出现，要求更高层次的中央控制和信息共享。大多数公司都有基于计算机的信息管理系统(MIS)来处理文档工作，以及职场...[全文]
- 二极管2015/11/11 19:21:50 2015/11/11 19:21:50
- 在电路中，REF3020AIDBZ二极管就如同开关，这意味着二极管某一方向能通过电流（正偏），而另一方向则不能（反偏）。检查二极管处于什么工作状恋需对其进行正确的极性测量。当二极管...[全文]
- 用于化学分析的电子分光镜2015/11/11 19:16:11 2015/11/11 19:16:11
- 解决表面污染物问题通常需要r解其化学状态。对表面氯元素的观测，NAND256W3A2BN6E俄歇电子谱结果并不能确定它是以盐酸还是以三氯化苯的形式存在。对氯形态的确定有利于r解和消除污染的来源：...[全文]
- 散射仪2015/11/11 19:10:21 2015/11/11 19:10:21
- 在快速、精确和非毁坏性的表面检测机器研究过程中，产生散射仪(sCatterometr)度鼍衡学。JS28F128J3F75A光学系统的精确性受光波波长的限制。大致地，尺寸小于使用光线波长的颗粒和...[全文]
- 外延硅2015/11/7 22:27:30 2015/11/7 22:27:30
- 外延(epitaxial)一词来源于希腊文，意为“安排在上面”。在半导体技术中，GS7966-424-116BBZ指薄膜的单晶结构。在CVD反应室内，硅原子被淀积在裸露的晶圆上，形成单晶结构（见...[全文]
- 水平对流热传导LPCVD2015/11/6 19:57:14 2015/11/6 19:57:14
- 一种应用于生产的LPCVD系统中采用水平炉管式反应炉（见图12.18），AD7550BD具有三个特殊性：首先，反应管与真空泵连接，将系统的压为降压力至0.25~2.0托-6。；其次，中心区域的温...[全文]
- CVD的工艺步骤2015/11/6 19:46:57 2015/11/6 19:46:57
- CVD的工艺有着与氧化或扩散等相同的步骤。回顾一下，这些步骤包括预清洗（T艺要求的刻蚀）、AD7549JP淀积和评估。我们已经描述过清洗工艺，即用于去除微粒和可动的离子污染。化学气相淀积，如氧化...[全文]
- 高束流注入可能造成晶圆升温2015/11/5 18:43:10 2015/11/5 18:43:10
- 对于终端抽真空，优选是低AD7010ARS温泵。在工艺过程中产生的沾污有来自晶圆除气的氮气和来自光刻胶掩蔽层氢气。低温泵（见第13章）是捕获型的，并保持氢气这一潜在危险冻结在泵中。...[全文]
公网安备44030402000607
