- 临界导通模式(CrM)详情2024/11/27 7:59:15 2024/11/27 7:59:15
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- GaN HEMT IC+Si MOSFET组合2024/11/27 7:57:52 2024/11/27 7:57:52
- 引言氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)和硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的组合在高效能电子设备中引起了广泛关注。随着电子技术的进步,越来越多的应用对功率器...[全文]
- 可编程多路复用通用输入/输出 (GPIO)2024/11/26 8:12:10 2024/11/26 8:12:10
- 可编程多路复用通用输入/输出(GPIO,GeneralPurposeInput/Output)是一种灵活的数字信号接口,可广泛应用于各种电子与嵌入式系统。GPIO接口能够在输入和输...[全文]
- 全新实时微控制器系列优特点封装设计2024/11/26 8:09:13 2024/11/26 8:09:13
- 全新实时微控制器系列的优特点与封装设计在当今快速发展的电子科技领域,微控制器(Microcontroller,简称MCU)作为智能设备的核心组成部分,其设计的先进性与优秀性直接影响...[全文]
- 新款四维图舱行泊一体单芯片SoC解决方案2024/11/26 8:06:34 2024/11/26 8:06:34
- 新款四维图舱行泊一体单芯片SoC解决方案引言随着汽车智能化和自动驾驶技术的发展,单芯片系统(SoC)在车辆智能化平台中扮演着越来越重要的角色。新时代的市场需求推动着四...[全文]
- Easy1B/2B系列功率模块优势特点及应用2024/11/26 8:05:22 2024/11/26 8:05:22
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- EiceDriver系列栅极驱动芯片的研究与应用2024/11/26 8:03:40 2024/11/26 8:03:40
- EiceDriver系列栅极驱动芯片的研究与应用引言随着电子技术的快速发展,功率电子设备在各类工业、交通和家庭应用中扮演着越来越重要的角色。尤其是在电动汽车、可再生能...[全文]
- 三相组串式逆变器应用场景及发展趋势2024/11/26 8:01:10 2024/11/26 8:01:10
- 三相组串式逆变器应用场景及发展趋势随着可再生能源技术的迅猛发展,特别是光伏发电和风力发电系统的普及,逆变器作为连接可再生能源和电网的重要设备,其技术开发和应用受到了广泛关注。...[全文]
- 全新 Riedon高功率厚膜电阻 PFS35 系列2024/11/25 8:10:15 2024/11/25 8:10:15
- 全新Riedon高功率厚膜电阻PFS35系列的介绍在现代电子设备中,电阻器作为一种基本且不可或缺的元件,发挥着至关重要的作用。随着电子技术的不断发展,对电阻器性能的要求也逐渐提高,...[全文]
- 业界首款300mm(12英寸)碳化硅衬底2024/11/25 8:08:26 2024/11/25 8:08:26
- 第三代半导体材料的变革:业界首款300mm碳化硅衬底的研发与应用引言近年来,随着科技的不断进步,对高性能半导体材料的需求日益增加。碳化硅(SiC)作为一种重要的第三代...[全文]
- 3Dblox技术A16 1.6nm工艺简述2024/11/25 8:07:06 2024/11/25 8:07:06
- 3Dblox技术A161.6nm工艺简述随着半导体行业的迅猛发展,对于芯片尺寸和性能的要求也日益提高。为满足更高的集成度、更好的性能以及更低的能耗,3Dblox公司在其A161.6...[全文]
- 精密分流电阻器和电流观察电阻器(CVR)优特点2024/11/25 8:02:04 2024/11/25 8:02:04
- 精密分流电阻器与电流观察电阻器的优特点研究精密测量技术在现代电力电子、自动化控制及仪器仪表等领域中扮演着至关重要的角色。作为关键的测量元件,电阻器在电流的监测和精确测量中应用广泛。...[全文]
- 新型IsoVu隔离电流探头应用详情2024/11/25 8:00:13 2024/11/25 8:00:13
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- 在现代电子测试与测量系统中,模块化解决方案如PXI(PCIeXtensionsforInstrumentation)与LXI(LANeXtensionsforInstrumentation)正在...[全文]
- AN-13-0004_CAN收发器结构参数特点应用设计2024/11/23 9:24:28 2024/11/23 9:24:28
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- 屏蔽栅槽沟技术 (SGT)主要特性及功能应用2024/11/23 9:23:14 2024/11/23 9:23:14
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- 第一代SGT MOSFET系列技术结构参数封装2024/11/23 9:21:20 2024/11/23 9:21:20
- 第一代SGT(SuperGateTurn-off)MOSFET系列是一种新型的功率半导体器件,随着电力电子技术的发展,其技术结构和参数封装设计逐渐受到广泛关注。SGTMOSFET的...[全文]
- 全球首颗GSE DPU芯片发布2024/11/23 9:19:27 2024/11/23 9:19:27
- 近年来,随着人工智能(AI)、机器学习(ML)和数据中心技术的迅猛发展,计算需求不断提升,传统的计算架构逐渐显露出其局限性。在这一背景下,专用处理单元(DPU)成为了集成深度学习与...[全文]
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