- 集成电路外形尺寸是根据标准2019/5/19 17:34:52 2019/5/19 17:34:52
- 试验原理集成电路外形尺寸是根据标准GB/T70921993《半导体集成电路外形尺寸》来制定的,对每一种不同封装结构类型还有相应的行业标准来确定其具体的尺寸和公差值。...[全文]
- 连接器的啮合力矩和分离力矩主要是考核连接器的耐力矩2019/5/19 17:07:55 2019/5/19 17:07:55
- 连接器的啮合力矩和分离力矩主要是考核连接器的耐力矩。连接器应与其配接的标准连接器相啮合。在一次完整的连接和分离循环中(直至连接器完全啮合或分离为止),所需的力矩符合详细规范...[全文]
- piND试验技术的发展趋势 2019/5/18 19:23:06 2019/5/18 19:23:06
- piND试验技术的发展趋势粒子碰撞噪声试验(PIND)目的之一是及时消除有粒子隐患的电子元器件,同时通过对失效样品的分析,G15N120RUF为产品质量改进提供有用信息。这项试验技...[全文]
- 耐焊接热试验技术的发展趋势 2019/5/17 21:45:56 2019/5/17 21:45:56
- 耐焊接热试验技术的发展趋势随着整机设备的不断小型化和电子封装密度的不断提高,器件具有体积小、重量轻EDX5116ADSE-3C-E等特点,导致单位体积内往往产生更多的热量。因此,非...[全文]
- 同轴引线类型2019/5/17 20:30:30 2019/5/17 20:30:30
- 同轴引线类型(见图⒋25)(1)触丝到外壳距离小于外引线直径的1/2。(2)外壳到半导体芯片或到任何共晶键合材料的距离小于0,05mm。H11A817C...[全文]
- 必须调整或选择X射线曝光系数、电压、电流和时间2019/5/16 21:08:44 2019/5/16 21:08:44
- 为了在灵敏度要求的范围内获得满意的曝光,并得到用于X射线照相试验的器件或缺陷特征图像的最详细细节,ACPL-247-500E必须调整或选择X射线曝光系数、电压、电流和时间。...[全文]
- 对可焊性试验前样品的预处理蒸汽老化预处理2019/5/16 21:02:39 2019/5/16 21:02:39
- 1)预处理对可焊性试验前样品的预处理蒸汽老化预处理,不同标准规定的处理方式也是多种多样,如蒸汽老化、A1006TL/TA1NXZ恒温恒湿、高温老化。很多标准提供的老化过程是蒸汽老化...[全文]
- 细检漏(氦质谱检漏法)2019/5/16 20:26:20 2019/5/16 20:26:20
- 细检漏(氦质谱检漏法)质谱检漏仪是通过质谱分析的方法来实现检漏的一种仪器,所谓“质谱分析”,是将H5DU5162ETR-E3C示踪气体(氦质谱仪就是用氦气作为示踪气体)分子转换成离...[全文]
- 单粒子效应的物理概念2019/5/14 21:03:34 2019/5/14 21:03:34
- 单粒子效应的物理概念1)注量率M25P40-VNW6PBA注量率为单位时间内单位面积入射入器件的粒子数,单位为粒子数每平方厘米秒(粒子数/cm2・s)。...[全文]
- 某型DDS器件的电离总剂量辐照试验2019/5/14 20:53:48 2019/5/14 20:53:48
- 某型DDS器件的电离总剂量辐照试验某型DDs器件(直接数字频率合成器),采用外延硅0.13umCMOs工艺,6层金属布线.M24C32-WMN6TP器件内核工作电压为1,2V,外部...[全文]
- 双极器件的加速评估方法2019/5/14 20:46:22 2019/5/14 20:46:22
- 双极器件的加速评估方法与MOS器件不同,双极器件的剂量率效应表现为低剂量率损伤增强效应(ELDRs),也M24C16-WDW6TP就是说高剂量率辐照后的室温退火无法消除与低剂量率的...[全文]
- 氧化物陷阱电荷的特性2019/5/13 21:45:29 2019/5/13 21:45:29
- 氧化物陷阱电荷的特性如上所述,氧化物陷阱电荷是由于空穴在界面处被空穴陷阱俘获所形成的,带正电荷。在电离辐射过程中,IC61LV6416-12T氧化物陷阱电荷将会快速地...[全文]
- 热电偶测温2019/5/13 21:30:23 2019/5/13 21:30:23
- 热电偶测温热电偶具有测温范围宽、体积小、动态响应速度快、互换性好、测量精IC42S16800-7T度较高、稳定性好、安装方便和便于集中测量等优点。常用的热电偶为铜一康铜热电偶,测量...[全文]
- 规管的布置2019/5/13 21:26:06 2019/5/13 21:26:06
- 规管的布置(l)尽量安装在呛内接近试件(测量接近时,应在舱内安装裸规)。(2)规管的开口面向应合理,而向或背向气流方向均不合理,面向时测试值偏高(静压加动压),肯向时...[全文]
- 航天器表面的器(组)件直接暴露在宇宙空间2019/5/13 21:16:31 2019/5/13 21:16:31
- 热真空环境应力分析航天器表面的器(组)件直接暴露在宇宙空间,根据离地轨道的不同,大气压力下降约9个数量级,即真空度从10勹a提高到10llPa。在地球同步轨道上的通信卫星暴露在10...[全文]
- 热真空试验标硅2019/5/13 21:04:24 2019/5/13 21:04:24
- 热真空试验标硅国内外航天机构在对于卫星组件、分系统、整星的鉴定和验收中,热真空试验是必做的试验项目,IC41C16256-35K并制定了相关的试验方法标准,如“MIL-STD-15...[全文]
- 在试验样品不接通电源或其他动力源的情况下2019/5/12 17:48:22 2019/5/12 17:48:22
- 调整试验箱内条件到GJB150.11986中规定的正常的试验大气条件,待试验样品温度稳定后,按有关标准或技术条件的规定使其工作并进行性能检查,并且将结果与初始检测的数据进行比较和评定。...[全文]
- 使试件和试验装置接地2019/5/12 17:07:44 2019/5/12 17:07:44
- ①试验箱(室)密封性应良好。②使试件和试验装置接地,以避免静H57V2562GTR-75C电荷的积累,并应按试件相应的安全要求检查电阻和(或)电路连续性。③对于吹砂和...[全文]
- 样品检验的准备工作2019/5/11 18:48:36 2019/5/11 18:48:36
- 试验时间试验条件见表⒉49。表2-49中规定了试验的最短时间。表⒉49试验条件样品检验的准备工作完成试验后,O...[全文]
- 与元器件相关的盐雾试验常用标准的试验参数2019/5/11 18:41:33 2019/5/11 18:41:33
- 日前,与元器件相关的盐雾试验常用标准的试验参数如表2-48所示。OP16GZ表⒉48元器件常用盐雾试验参数对比元器件盐雾试验均为连续喷雾,从表⒉48中可以看出,不同元...[全文]
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