- 纳瓦技术特性为设计提供多元化选择有效管理功耗并延长电池寿命2024/1/20 15:07:40 2024/1/20 15:07:40
- 贴片绕线电感，它的体积非常小。结构看似简单，但工艺要求还是非常高的。它的外壳在整个结构设计上主要起到的作用就是保护内部原件的作用。从电感性能以及它运行的可靠性上来看，...[全文]
- 在输出端有一个带通或低通滤波器可以充分抑制高次谐波分量2024/1/17 23:03:12 2024/1/17 23:03:12
- 输入RF扼流圈设定基极-发射极电压的静态值；集电极处的RF扼流圈提供晶体管的直流电流。负载是一个交流耦合电阻器（RL），在基频处有一个高Q谐振电路。通过缩短谐波分量，...[全文]
- 集成快速体二极管高压超级结MOSFET技术产品适用高功率SMPS应用2024/1/17 13:17:15 2024/1/17 13:17:15
- XMC4200微控制器和CFD7CoolMOS™MOSFET的3.3KW高功率密度双向相移全桥方案。随着太阳能的应用范围进一步扩大，业内迫切需要更高效率的...[全文]
- 电阻器存在开路或阻值增大(比较少见)的现象电阻器损坏2024/1/13 14:15:15 2024/1/13 14:15:15
- R7F0C205L、R7F0C206L、R7F0C206M、R7F0C207M和R7F0C208M等5款新产品,扩充其16位微控制器(MCU)产品线,进一步加强对触控式家电设备...[全文]
- 线缆端口可以作为一个解决传统PCB导致信号丢失问题的选择2024/1/7 14:20:56 2024/1/7 14:20:56
- 全新的QSFP-DD8001.0规范旨在作为现有的QSFP-DD5.0规范的额外补充。由于信号密度和热性能上的要求依然十分重要，收发器焊盘经过优化后可以提高每通道100Gbps性能...[全文]
- RGMII和RMII应用提供可选的125MHz或50MHz参考时钟输出2024/1/6 20:05:04 2024/1/6 20:05:04
- 在低至2.2V电压下工作的高速通信光耦。这两款器件分别是典型数据传输率为5Mbps的“TLP2312”和20Mbps的“TLP2372”。新型光耦在-...[全文]
- 发光二极管管身外圆上有一小段直线直线所在引脚表示为负极2024/1/1 20:21:56 2024/1/1 20:21:56
- 为了再度强化其对超强数据保持力和超高耐久性应用的承诺，绿芯以其专有的EnduroSLC®技术升级了eMMCNANDriveEX系列。对于长寿...[全文]
- 普通瓷片电容耐压值50VD由于电路电压最高不过直流6V左右2024/1/1 19:35:41 2024/1/1 19:35:41
- MSPM0-Q1从硬件、软件和模拟集成方面，都提供了高度的兼容性和灵活性。从硬件角度，MSPM0-Q1采用了引脚对引脚的兼容设计，只要是同一种封装，全系列产品都可以互换，实现硬件的...[全文]
- 两电平和三电平拓扑结构使用交流电压中压变频器与交通运输应用格局2024/1/1 16:36:35 2024/1/1 16:36:35
- 最新一代8x8多区飞行时间(ToF)测距传感器VL53L8CX实现了一系列改进，包括更强的抗环境光干扰能力、更低的功耗和更强的光学性能。直接ToF传感器在一个模块内整...[全文]
- 旋转磁盘上所设置磁钢会触发传感器使发出极为微弱电信号2023/12/30 21:35:11 2023/12/30 21:35:11
- 一个1uF～10uF的去耦电容，滤除低频噪声;在电路板内的每一个有源器件的电源和地之间放置一个0.01uF～0.1uF的去耦电容(高频滤波电容)，用于滤除高频噪声。滤波的目的是要滤...[全文]
- 大RAM需求在无需缓冲或预擦除情况下提供比闪存快100倍写入速度2023/12/19 8:57:25 2023/12/19 8:57:25
- 全新的MCU将产品组合中所采用的集成式铁电随机访问存储器(FRAM)从2KB扩展到了256KB。FRAM是一项非易失性存储器技术，能够提供无与伦比的灵活性和超低功耗的性能。...[全文]
- 分布式电源开放标准联盟标准占位面积包括SMT模块3A 6A 12A和20A产品2023/12/12 9:02:34 2023/12/12 9:02:34
- 调谐回路技术的POL转换器,SLIN系列非隔离，点负载(POL)dc/dc转换器采用调谐回路技术以优化转换器的动态响应，来匹配特定负载要求。这样就减少了任何特定应用所需的电容数量、类型和...[全文]
- 消除电磁干扰源潜在噪声将"安静"模拟线路和噪声I/O端口分开2023/12/9 21:05:49 2023/12/9 21:05:49
- PCB设计中很容易形成可能产生问题的两种基本寄生元件：寄生电容和寄生电感。为消除电磁干扰源的潜在噪声，最好将“安静”的模拟线路和噪声I/O端口分开。要设法实现低阻抗的电源和地网络，...[全文]
- 最大限度减少外部组件简化设计并提供尺寸非常小的解决方案2023/11/30 13:00:53 2023/11/30 13:00:53
- 在14纳米集成电路制造先导技术研发方面取得突破,成功打造集成电路制造业创新体系,引领和支撑中国集成电路产业快速崛起,国际竞争力大幅提升。集成电路,也就是芯片,被誉为电...[全文]
- Driven Shield功能减少感应电极走线寄生电容对按键灵敏度影响2023/11/28 22:46:02 2023/11/28 22:46:02
- 电磁炉在加热锅的同时，也对电路板上感应电极正向或反向的电流，从而会缩短或增长按键充放电时间，会对按键的检测造成很大影响，甚至产生误动作，常见的方法采用硬件屏蔽和过零点检测来消除...[全文]
- 滤波电感与去耦电容特征阻抗类似于MM测试中的电流限制2023/11/28 22:12:30 2023/11/28 22:12:30
- 对于高速双极型IC，HBM测试中吸收的最大能量是1μJ；2kV人体模式下，如果电容小于0.02μF，C1>>C0二极管会产生动作。实际应用...[全文]
- 无源器件构成电路功能的集成电路分成有厚膜和薄膜集成电路2023/11/28 8:59:03 2023/11/28 8:59:03
- 半导体集成电路:是一种将晶体管、二极管等有源元件和电阻器、电容器等无源元件,按照一定的电路互联,“集成”在一块半导体单晶片上所制成的具有某种电路功能的集成电路。...[全文]
- 电源电流从123mA降至74mA且停机模式将电流消耗进一步降低至24mA2023/11/27 9:01:25 2023/11/27 9:01:25
- 全差分缓冲放大器的输出参考噪声仅为1.5nV/√Hz。LTC6417能驱动50Ω差分负载，并为驱动14位和16位流水线ADC而优化。除了卓越的性能规格，LTC6417...[全文]
- 40纳米工艺制造包括一个图形内核支持微软DirectX 11技术2023/11/26 22:38:48 2023/11/26 22:38:48
- Z系列芯片的型号是双核Z-01，时钟速度为1GHz。这款芯片的耗电量不到6瓦，将提供更长的电池使用寿命。这种芯片是采用40纳米工艺制造的，包括一个图形内核，支持微软的DirectX11技术。这将...[全文]
- 反向续流二极管集成在一起大大简化电压型PWM整流器的结构2023/11/26 20:37:31 2023/11/26 20:37:31
- IGCT是在GTO的基础上发展起来的新型复合器件，兼有MOSFET和GTO两者的优点，又克服了两者的不足之处，是一种较为理想的MW级的高（中）压开关器件。与GTO相比，IGCT的体...[全文]
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