- 无线环境与网络结构2015/2/2 20:30:21 2015/2/2 20:30:21
- TD-LTE用户吞吐量取决于用户所处环境的无线信道质量，小区吞吐量取决于小区整体的信道环境，NC7ST32M5X而小区整体信道环境中最关键的影响因素是网络结构及小区覆盖半径。通常情况下，网络吞吐...[全文]
- 随机接入2015/2/1 15:41:44 2015/2/1 15:41:44
- 随机接入信道RACH用来在始发小区以及切换过程中的目标小区中发送初始接入消息。EWIXP425ABDT物理层随机接入突发由CP（长度为TCP）、前导序列（长度为TPRE）、保护时间（长度为Tor...[全文]
- LTE上行调度和下行调度分别进行2015/2/1 15:32:02 2015/2/1 15:32:02
- LTE上行调度和下行调度分别进行。根据分配方式的不同，可以分为静态调度、动态调度和半静态调度方式。1)动态调度动态调度过程中，EUP3412JIR1每次都需要通过PD...[全文]
- 影响调度算法的因素2015/2/1 15:30:56 2015/2/1 15:30:56
- 影响调度算法的因素如下。(1)业务请求速率：EUP3412决定本次调度最大传输的比特数，在下行链路中主要由高层通知调度器，上行链路中由UE上报。(2)信道质量：决定本...[全文]
- 接纳控制2015/1/31 21:00:30 2015/1/31 21:00:30
- RAC功能体位于eNodeB，主要任务是接纳或拒绝新的无线承载的建立请求。AD9283BRS-80其目标是确保更好地利用无线资源，同时要保证正在进行的会话的服务质量。为了得到合理、...[全文]
- 信道映射2015/1/31 20:58:04 2015/1/31 20:58:04
- LTE系统中逻辑信道、传输信AD9280ARS道和物理信道汇总如表1-8所示。表1-8LTE信道类型上述逻辑信道、传输信道和物理信道之间的映射关...[全文]
- 上行物理控制信道(PUCCH)2015/1/31 20:46:38 2015/1/31 20:46:38
- 为支持上下行共享信道的正常工作，UE需要向基站发送与上下行数据传输相关的控制信息，即上行LI/L2控制信令。在E-UTRA系统中，AD9058ATJ/883基站对UE的行为完全进行控制，UE需要...[全文]
- 上行物理层信道及信号2015/1/31 20:44:18 2015/1/31 20:44:18
- 上行信道包括PRACH(物理随机接入信道)、PUSCH(物理上行共享信道)和PUCCH（物理上行控制信道）。1)物理随机接入信道(PRACH)终端通过物理随机接入AD...[全文]
- 下行物理共享信道PDSCH2015/1/31 20:40:55 2015/1/31 20:40:55
- 下行物理共享信道PDSCH是LTE承载数据的下行链路信道，用于承载所有用户的下行数据以及未在PBCH中传输的系统广播信息和寻呼信息。AD8672ARM具体而言，除传输用户数据信息外，PDSCH还...[全文]
- 无线资源管理功能2015/1/30 18:37:55 2015/1/30 18:37:55
- ●无线资源管理功能：AIC1563CS无线承载控制、无线接入控制、连接移动性控制、UE的上下行动态资源调度等。●lP头压缩及用户数据流加密。●UE附着时的MME选择。...[全文]
- LTE性能要求2015/1/30 18:32:54 2015/1/30 18:32:54
- 在LTE系统设计之初，ADXL322JCPZ其目标和需求就非常明确，即降低时延、提高用户传输数据速率、提高系统容量和覆盖范围等。LTE系统设计的目标是在20MHz系统带宽配置下，达到下行100M...[全文]
- CD4513和CD4544具有消隐无效0的功能2015/1/29 19:54:45 2015/1/29 19:54:45
- CD4513和CD4544具有消隐无效0的功能，在多位级联用作多位数字显示时，HA2-2605-5通过将RBI和RBO置于相应的电平后，可将多位数字显示时数字前面的O消隐，不显示。...[全文]
- 基本R-S触发器2015/1/28 20:38:13 2015/1/28 20:38:13
- 基本R-S触发器。用两个与非门交叉连接就组成了一个基本R-S触发器，如图3-14所示。N82C501AD它有两个输出端，Q和Q，两个输入端，岛和SD。其中Q和Q为反相输出，即：当Q=l时，贝00...[全文]
- CW78系列稳压器2015/1/27 19:38:57 2015/1/27 19:38:57
- 78系列稳压器按输出电压大小分为9种，即7805、7806、7808、7809、7810、7812、7815、7818、7824，具体参数请参见表2-16。表2-16CW78系列稳...[全文]
- 线圈电阻2015/1/27 19:31:36 2015/1/27 19:31:36
- 线圈电阻。线圈电HY57V561620CTP-H阻指线圈的直流电阻值。JRX-13F继电器的线圈电阻值是从300fl到4600fl之间，这个参数与使用电路中驱动继电器晶体管的设计负载值有关，使用...[全文]
- PNP晶体管的内部结构2015/1/26 23:07:26 2015/1/26 23:07:26
- 如图2-68所示电路中，当晶体管AD7760BSV的集电极和发射极之间加电压UCE时，则集电结的反向电压很高，于是基区的少数载流子（空穴）和集电区的少数载流子（自由电子，以下简称电子）分别流向对...[全文]
- 温度特性2015/1/25 19:11:17 2015/1/25 19:11:17
- 温度特性。晶体管L091S474内部PN结允许承受的最高温度称为最大允许结温TjM。一般硅管的TjM在150～175℃之间，锗管的TjM在75～90℃之间，显然硅管的TjM要比锗管高得多，所以允...[全文]
- 晶体管元件的命名与标记2015/1/25 18:55:15 2015/1/25 18:55:15
- 晶体管元件是电子电路中最基本的电路元件，它的品种型号非常多，除了已有的常用型号外，L091S331每年还有大量的新型元件诞生。下面我们以常见晶体管，分为国产和进口两种进行介绍。国产...[全文]
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