- 清洗工艺多由一系列的步骤组2016/6/16 21:15:48 2016/6/16 21:15:48
- 清洗工艺多由一系列的步骤组成,用来将大小不一的颗粒同时除去。最简单OP262GS-REEL的颗粒去除工艺是用位于清洗台的手持氮气枪喷出的经过过滤的高压氮气吹晶圆的表面。在存在小颗粒问题的制造区域...[全文]
- 另一个最为关键的方面是保持栅氧的完整性2016/6/16 21:12:28 2016/6/16 21:12:28
- 另一个最为关键的方面是保持栅氧的完整性。清洗工艺可能会破坏栅氧从而使其粗糙,OP262DRUZ-REEL尤其是较薄的栅氧更易受到损害。在MOs传感器中,栅氧是用来做绝缘介质的,因此它必须具有=致...[全文]
- 超净间的维护2016/6/16 21:03:05 2016/6/16 21:03:05
- 超净间的定期维护是非常必要的。清洁人员OP249GSZ-REEL必须穿着与生产人员一样的洁净服,超净间的清洁器具,包括拖把,均需仔细选择,一般家庭使用的清洁器具太脏,不可在超净间使用。使用真空吸...[全文]
- 双层进出通道2016/6/15 21:17:57 2016/6/15 21:17:57
- 双层进出通道。维修区CY6116A-55DMB还可作为次洁净室来储存物料和供给,它们通过双层进出通道进入洁净室,这可保持洁净室的洁净度。进出通道可以是一个双层门的盒子,或者是供给正压过滤空气,并...[全文]
- 引起缺陷的污染源2016/6/15 21:12:39 2016/6/15 21:12:39
- 洁净室内污染源是指任何影响产晶生产或产品功能的一切事物。由于固CY54FCT244ATDMB态器件的要求较高,决定了它的洁净度要求远远高于大多数其他工业的洁净程度。实际上,生产期间任何与产品相接...[全文]
- 引起缺陷的污染物 2016/6/15 20:59:22 2016/6/15 20:59:22
- 半导体集成电路工艺尺寸越来越小,在一块小小的芯片上集成了许多的器件。CY27H010-35WMB因此,制作过程中必须防止外界杂质污染源的污染,以避免污染源造成元器件性能的劣化以及电路产品不良率的...[全文]
- 铜的多层金属化2016/6/14 21:20:16 2016/6/14 21:20:16
- 铜作为集成电路中金属互连的材料有如下的特点:(1)铜在硅和S⒑2中都有很高的扩散率,一旦铜EL5451IS扩散进入器件的有源区,将会损坏器件,因此,必须使用阻挡层金属;...[全文]
- Tls炬的退火相2016/6/14 21:02:08 2016/6/14 21:02:08
- 为了形成自对准硅化物,EL5375IUZ首先沉积TEOS或Si3N4,然后用等离子体刻蚀,以便在Po1y栅的两边留下TEOs或Si3N4侧墙绝缘分隔层。仅顶部的Poly栅裸露出来,经HF浸泡去掉...[全文]
- 小岛是指在氧化层刻蚀的光刻窗口内2016/6/13 21:40:38 2016/6/13 21:40:38
- 小岛是指在氧化层刻蚀的光刻窗口内,还留有没有刻蚀干净的氧化层局部区域,其形状不规则。光刻产生小岛的原因有:掩模版HAT3004R-EL图形上的针孔或损伤,在曝光时形成漏光点,使该处...[全文]
- 光刻工艺产生的微缺陷 2016/6/13 21:38:22 2016/6/13 21:38:22
- 光刻工艺的质量不仅影响器件的特性,而且对器件的成品率和可靠性也有很大影响,对光刻质量的要求是刻蚀的图形完整、尺寸准确、HAT2189WP-EL-E边缘整齐;图形外氧化层上没有针孔,同时要求套合准...[全文]
- 光刻胶的去除2016/6/12 22:03:48 2016/6/12 22:03:48
- 经过腐蚀或离子注入之后,已经不再需要光刻胶作为保护层,因此便可以将光刻胶从硅片的表面去除。A3245LUA-T胶的方法包括湿法去胶和干法去胶。对非金属膜(如s⒑2、多晶硅、氮化硅)上的胶层一般用...[全文]
- 烘干2016/6/12 22:02:44 2016/6/12 22:02:44
- 在通有氮气的烘箱中烘烤坚膜,坚膜时间太长,光刻胶会流动,破坏图形;坚膜时间太短,A3245LUA溶剂没有完全蒸发,胶与硅片的黏附性差,腐蚀时会出现脱胶现象,导致圆片报废。刻蚀...[全文]
- 间隙式扩散2016/6/11 17:53:21 2016/6/11 17:53:21
- 杂质原子从一个原子间隙运动到相邻的另一个原子间隙,依靠间隙运动方式而逐步跳跃前进的扩散机理,AD7892BR-3称为间隙式扩散,如图2.5所示。O、Au、Ag、Cu、Zn、Mg、Fc和№等半径较...[全文]
- 影响氧化物生长的因素2016/6/10 18:19:51 2016/6/10 18:19:51
- (1)温度。实验表T5750-TAQ明,氧化速率随温度的升高而增加。实际生产中,热氧化的温度选择在10OO~1200℃之间。(2)时间。热氧化生长Si02中的Si来源于硅表面,也就...[全文]
- 尺寸的缩小和集成度的提高对可靠性的测试带来了挑战2016/6/10 16:59:03 2016/6/10 16:59:03
- 尺寸的缩小和集成度的提高对可靠性S606B-30的测试带来了挑战。尺寸缩小导致对EsD(Elcc“ost乱icⅡscharge)变得更加敏感。封装测试中的EsD问题会严重影响可靠性评估的成功率和...[全文]
- 二次击穿2016/6/9 22:46:48 2016/6/9 22:46:48
- 二次击穿。当器件ADG508AKR被偏置在某一特殊工作点时,电压突然降落,电流突然上升,出现负阻的物理现象叫二次击穿。这时若无限流或其他保护措施,器件将被烧毁。二次击穿和雪崩击穿不...[全文]
- 集成度不断提高 2016/6/8 21:58:27 2016/6/8 21:58:27
- 1965年,美国Intcl公司的戈顿・摩尔(GordonM00re)通过对过去数年来集成电路发展AD1674JR情况的总结,提出了著名的摩尔定律,即集成电路芯片的集成度每3年提高4...[全文]
- 生产作业控制手段的形象直观与使用方便化2016/6/7 20:30:26 2016/6/7 20:30:26
- 生产作业控制手段的形象直观与使用方便化。为了有效地进行生产作业控制,使每个生产环节、ADC081S101CIMF每道工序能严格按照期望标准进行生产,杜绝过量生产、过量储备,要采用与现场工作状况相...[全文]
- 进行工艺研究2016/6/7 20:20:01 2016/6/7 20:20:01
- 工艺研究是定置管理开展过程的起点,它是对生产现场的加工方法、机械设备、工艺流ADC081S021CISD程进行详细研究,确定工艺在技术水平上的先进性和经济性上的合理性,分析是否需要和可能...[全文]
- 定置管理根据物流运动的规律性2016/6/7 20:15:40 2016/6/7 20:15:40
- 定置管理根据物流运动的规律性,科学地确定物品在场所内的位置。通常有ADC081S021以下两种定置的方法。①固定位置:场所固定、物品存放位置固定、物品的信息媒介物固定。这种三固定方...[全文]
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