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老化与测试 2017/11/22 20:35:15
2017/11/22 20:35:15
依照可靠性的浴缸曲线,芯片在OB2202CPA使用早期会有较高的失效比率,即早夭期。老化用来筛选出使用寿命短的芯片,使失效率降低。老化在高温125℃,1.2~1.4倍⒕u高电压下进行,依照产品的...[全文]
储存器测 2017/11/21 21:44:14
2017/11/21 21:44:14
半导体器件构成的储存器有动态随机储存器(DRAM),静态随机储存器(sRAM),闪存(Flash)等。TC75S55F储存器测试的流程通常有圆片测试(wafersort,W/S),激光修复(la...[全文]
图像显示和记录系统2017/11/18 17:11:45
2017/11/18 17:11:45
图像显示和记录系统:把信号监测系统SA568AD输出的调制信号.转换为在阴极射线管荧光屏上显示的样品表面某种特征的扫描图像。目前电子计算机在此领域的应用非常深人广泛,扫描图像保存在电脑磁...[全文]
集成电路可靠性面临的挑战 2017/11/17 22:14:29
2017/11/17 22:14:29
从20世纪90年代以来,集成电路技术得到了快速发展。集成电路的特征尺寸不断缩小,U05G4B48-TE12L集成度和性能不断提高。为了减小成本.提高性能,集成电路技术中引人大量新材料、新丁艺和新...[全文]
集成电路可靠性介绍 2017/11/16 21:03:36
2017/11/16 21:03:36
可靠性的定义是系统或元器件在规定的条件下和规定的时闷内・完成规定的功能的能J(thcabdity>c°nditionsfOrasI)ecificpcriodhref="http:/...[全文]
表面向外的一侧没有近邻原子2017/11/16 20:24:41
2017/11/16 20:24:41
表面向外的一侧没有近邻原子,农面原子有一部分化学键伸向空闸形成悬挂件,因此,SFH6156-4T表面具有很活跃的化学性质。曲于表面原F吸附、沾污和偏析,表面原子种类L9体内不同。曲于表面原子所处...[全文]
正面PEM定位的成功率急剧下降2017/11/14 20:49:24
2017/11/14 20:49:24
PEM方法快速、简便而PIC18F258-I/SP有效,具有准确、直观和重复再现的优点。正面PEM分析,除F暴露芯片表面外.无须特别样品制备。在合理的偏置条件下,对样品没有破坏性,不需真空环境,...[全文]
Metal-1图形的例子2017/11/12 17:03:31
2017/11/12 17:03:31
图13.8画出了一个桥连的热点,R10937P40这个热点位于一个大的金属结构附近,对于这个热点OPC很难起到效果。MEEF分析结果表明(见图13,9),相邻线条边缘在OPC之后MEEF,和OP...[全文]
有机物残留(organk residues)2017/11/11 18:32:29
2017/11/11 18:32:29
有机物残留(organkresidues)QL2003-XPF144C铜抛光以后,有时会出现一些黑色的斑块,这是有机物残留,主要成分是碳,它来自于没清洗干净的BTA,benzotr...[全文]
共同离子注入2017/11/10 22:18:28
2017/11/10 22:18:28
共同离子注人是(c⒍implantation或∞cktai卜implantation)的中文翻译,OP113ES原意是指用类似于调鸡尾酒的办法,将除通常所需注人的N或P型离子之外的其他杂质离子(...[全文]
半导体集成电路是以P型硅材料作为衬底2017/11/8 12:10:48
2017/11/8 12:10:48
半导体集成电路A82C250半导体集成电路是以P型硅材料作为衬底,在其上形成晶体管、二极管、电阻器、电容器等而构成的。是双极型集成电路结构的例子。...[全文]
BOE溶液对氧化硅湿法刻蚀2017/11/6 21:37:58
2017/11/6 21:37:58
氧化硅湿法刻蚀第二个选择是缓冲氧化物刻蚀剂(B()E),它是HF和NH∶F的混合物l避免H「刻蚀时氟离子的缺乏1bl,溶液pH值稳定,不受少量酸加人的影响.还S912XEP100J5VAG有一个...[全文]
LRM工艺气体和压力对沟槽和通孔底形状的影响2017/11/4 11:57:45
2017/11/4 11:57:45
通常顶部圆弧相当于顶部线宽CD的收缩,已经证明了顶部圆弧形状最薄弱的点会导致VBD特性变差,如图8,44所示。M/OX1K821W同时,从缺少聚合物△艺得到的顶部圆弧,可能会带来更差的侧壁粗糙度...[全文]
故障信息以故障码序号的形式存放在参数10947中2017/11/3 22:26:23
2017/11/3 22:26:23
故障信息以故障码序号的形式存放在参数10947中,例如F0003=3,相关的GLF2012T101K故障值可以在参数10949中查到。如果该故障没有故障值,r0949中将输入0,而且可以读出故障...[全文]
MM440变频器的电路2017/11/3 22:23:29
2017/11/3 22:23:29
MM440变频器的电路,包括主电路和控制电路两大部分,主电路完成电能转换(整流和逆变),控制电路处理信息的收集、变换和传输。GLF1608T4R7M在主电路中,由电源输入单相或三相...[全文]
先进的干法刻蚀反应器 2017/11/2 20:11:22
2017/11/2 20:11:22
先进的干法刻蚀反应器如图8.10所示,就导体和电介质刻蚀机雨j占,排列在前二甲的干法VSC8145VQ-03刻蚀机厂商包括泛林半导体(I'amrescarch,I'AM),东京电子...[全文]
干法刻蚀建模 2017/11/1 20:00:30
2017/11/1 20:00:30
虽然半导体晶圆的尺寸从途in增加到了12in,今天所用的制造微电子器件的干法刻蚀I艺的开发在很大程度上还是大量耗费时间和金钱的实验探索。OAR5-R025FI部分原因是由于腔室尺寸的增大、紧密交...[全文]
在线、沟槽和孔的刻蚀应用巾常见的刻蚀形状2017/11/1 19:56:46
2017/11/1 19:56:46
更小的CI)是改进IC技术的着震点c均匀性是IC制造屮不可缺少的另一个质量的童度量,OADM249A219不仅要做到晶圆与晶圆间、批次与批次间的均匀.还要做到晶圆内、芯片内的均匀,为使芯片功能正...[全文]
最佳的照明条件是偶极照明2017/10/30 21:48:42
2017/10/30 21:48:42
如果确定图形的走向为X或者Y,而且图形当中,关键空间频率分布在0,5^/NA与^/NA之间,那么,UC3714D最佳的照明条件是偶极照明。不过,如果关键图形当中含有孤立的图形,离轴照明并不好,因...[全文]
离轴照明的 种方式2017/10/30 21:46:33
2017/10/30 21:46:33
第一级衍射光同人射光与垂直轴成的夹角相等。离轴照明的方式有很多,如图7.88所示,主要有环形照明(annular)、嫣°四级照明(quasar)、XY轴上四级照明(cquad)、偶极照明以及混合...[全文]
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