- 移相电阻链细分法2016/2/2 21:11:28 2016/2/2 21:11:28
- 该方法借助于电阻链中不同位置可以产生不同相位的正弦电压函数这一特点，获得”组相位差2n/R的M个正弦电压细分信号。其原理如图8.21所示。HEF4052BT在电阻两端分别加入sin妒和sin(缈...[全文]
- 非制冷红外探测器采用成熟的硅集成电路工艺2016/2/1 20:21:39 2016/2/1 20:21:39
- 非制冷探测器的灵敏度比低温碲镉汞要小一个量级以上，但是以大的焦平面阵列增加信号积分时间来弥补，G7N60A4D可与第一代CMT探测器的热成像系统争雄。对许多应用，特别是一般的监视与夜视而言其性能...[全文]
- z平面红外焦平面探测器2016/2/1 20:18:01 2016/2/1 20:18:01
- z平面技术是红外焦平面发展的又一种方式，它不同于单片式混成式的二维焦平面阵列。G60N90DG3所谓z平面，是指立体的焦平面阵列，它将信号读出及处理功能的芯片（包括低噪声前放、滤波器和多路传输等...[全文]
- 电容CGD也被充放电2016/1/31 18:52:58 2016/1/31 18:52:58
- 当水平移位寄存器发出脉冲驱动水平方向各MOS开关工作时，由于电容CGD也被充放电，MAX4310ESA+T则输出会产生尖峰脉冲，如图7.45(b)所示。信号的成分比尖峰脉冲小，尖峰脉冲的宽度是一...[全文]
- 光栅型有源像素结构2016/1/31 18:43:38 2016/1/31 18:43:38
- 光栅型有源像素结构(ActivePixelSensor，PG-APS)PG-APS结合了CCD和X-Y寻址的优点，其结构如图7.42(c)所示。光生信号电荷积分在光栅(PG)T，M...[全文]
- 光敏二极管型有源像素结构2016/1/31 18:42:31 2016/1/31 18:42:31
- 光敏二极管型有源像素结构(ActivePixelSensor，PD-APS)像元含有源放大器的传感器称有源像素传感器，如图7.42(b)所示。MAX4305ESA+由于每个放大器仅...[全文]
- 电压采样列阵工作原理图2016/1/31 18:38:17 2016/1/31 18:38:17
- 下面分析其中的一个单元电路的工作原理，如图7.41所示。其中，MOS管VT3是预充电开关，MAX4304ESA在e2扫描信号作用下，VT3导通，使像元二极管VD的结电容Cd预充电到VDD。VT3...[全文]
- 电子轰击型CCD (EBCCD)2016/1/30 22:37:57 2016/1/30 22:37:57
- 这种微光CCD与硅增强靶摄像管的结构十分相似，只是把靶换成CCD芯片。电子R1LV0408DSA-5SR轰击(EB)工作模式的基本原理是入射光子照射光阴极转换为光电子，光屯子被加速(约10～15...[全文]
- 隔列转移型面阵CCD2016/1/30 22:27:42 2016/1/30 22:27:42
- 隔行转移型面阵CCD结构如图7.26(a)历示。它的像敏单元（图中虚线方块所示）呈二维排列，R1LV0408CSB-5SC每列像敏单元被遮光的读出寄存器及沟阻隔开，像敏单元与读出寄存器之间又有转...[全文]
- 电荷的注入和检测2016/1/29 19:55:01 2016/1/29 19:55:01
- 在CCD中，电荷注入的方法有很多，可以FDV304P分为两类：光注入和电注入。光注入。当光照射CCD硅片时，在栅极附近的半导体内产生电子一空穴对，其对数载流子被栅极电压排开，少数载...[全文]
- 电荷耦合2016/1/29 19:49:48 2016/1/29 19:49:48
- 为了理解在CCD中势阱及电荷是如何从一个位置移到另一个位置的，如图7.18所示，取CCD中四个彼此靠得很近的电极来观察。假定开始时有。FDS9435A些电荷存储在偏压为10V的第：个电极卜面的深...[全文]
- SEC靶结构示意图2016/1/29 19:42:45 2016/1/29 19:42:45
- 用SEC靶代替了硅靶。SEC靶采用低密度的二次电子发射性能良好的材料，其结构FDN339AN如图7.16所示。它由三层组成，厚约70>Al层厚度约为20～70>板密度的1%N2%。一般采...[全文]
- 硅靶视像管2016/1/29 19:40:02 2016/1/29 19:40:02
- 硅靶是由大量微小的光电二板管的阵列构成的，其结构和工作原理如图7.14所示。极FDLL4148薄的N型硅片的一面经抛光、氧化而形成一层绝缘良好的二氧化硅(Si02)膜。用光刻技术在膜上刻出圆形窗...[全文]
- 无极性铝电解电容器为什么没有极性2016/1/28 20:52:32 2016/1/28 20:52:32
- 无极性铝电解电容器为什么没有极性。有极性电解电容器使用范围受到限制，它不EP1C3T144C8能反向连接，而且也不能通过很大的纹波电流，更不能在纯交流电路中工作。这是因为电解电容器具有等效串联电...[全文]
- 光谱响应2016/1/28 20:41:45 2016/1/28 20:41:45
- 光电成像器件的光谱响应取决于光电转换材料的光谱响应，其短波限有时受窗口材料的吸收特性影响。例如，属于外光电效应摄像管的光谱响应由光阴极材料决定；EP1C3T100C6N属于内光电效应的视像管和C...[全文]
- 光电成像器件的类型2016/1/28 20:39:05 2016/1/28 20:39:05
- 扫描型光电成像器件又称为摄像器件。这种器件通过电子束扫描或自扫描方式，将被EP1C20F400I7L摄景物经光学系统成像在器件光敏面上的二维图像转变为…维时序信号输出。非扫描型光电成像器件常由像...[全文]
- 接收光信号的方式2016/1/27 19:49:59 2016/1/27 19:49:59
- 接收光信号的方式在应用光电检测器件的测量仪器和系统中，光电器EP1AGX20CF484C6N件接收光信号的方式有以下几种。1．判断光信号的有无由被测对象...[全文]
- 光电发射器件是利用外光电效应制成的光电探测器2016/1/26 21:47:11 2016/1/26 21:47:11
- 光电发射器件是利用外光电效应制成的光电探测器。主要有光电管、光电倍HFBR-2523ETZ增管和其他器件（如摄像管等）。这些器件将不同波长的各种辐射信号转换为电信号，均依靠光电阴极，它关系到光电...[全文]
- 光电发射探测器是基于外光电效应的器件2016/1/26 21:40:53 2016/1/26 21:40:53
- 光电发射探测器是基于外光电效应的器件，最典型的光电发射探测器是光电倍增管，HFBR-1523ETZ主要介绍了光电倍增管的主要特性、使用要点、常用电路及选型依据。学习目标...[全文]
- 为什么结型光电器件在正向偏置时没有明显的光电效应？2016/1/26 21:38:13 2016/1/26 21:38:13
- 1．为什么结型光电器件在正向偏置时没有明显的光电效应？它必须在哪种偏置状态？为什么？2．为什么在光照度增大到一定程度暗，硅光电HA2-2525-5池的开路电压不再随入射照度的增大而...[全文]
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