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设置温度渗透区2016/6/24 22:41:30
2016/6/24 22:41:30
设置温度渗透区的目的是确保整块PCB在进入再流焊的钎料熔化区之前,其上的温达到均匀一致。如果PCB是单一的设计,那么在再流中热传递是非常均匀的,E32-TC200C此时就可以不需要温度渗透区。但...[全文]
装载了元器件的PCB以某一特定角度2016/6/24 22:28:42
2016/6/24 22:28:42
波峰焊接(Wavcsoldcring),即将熔融的液态钎料借助于泵的作用,在钎料液面形成一特定形状的钎料波峰,装载了元器件的PCB以某一特定角度,E32-D1110M并以一定的浸入深度穿过钎料波...[全文]
盆属化腐蚀 2016/6/22 21:19:32
2016/6/22 21:19:32
芯片上用于互连的金属铝是化学活泼金属,容易受到水汽的腐蚀。由于价Q1900C-1S3格便宜和容易大量生产,许多集成电路是用树脂包封的,然而水汽可以穿过树脂到达铝互连线处,通过带入的外部杂质或溶解...[全文]
硅原料2016/6/21 23:00:39
2016/6/21 23:00:39
硼会导致NBTI效应的增强,因为来自栅掺杂和源漏注入的硼会扩散到栅氧中。OF140SG100D将硼隔离在栅氧之外则观察到了明显的NBTI寿命改善,硼穿通导致了固定电荷的增加,但是抑制了界面态产生...[全文]
电场作用下Hρ中的界面陷阱的去钝化2016/6/21 22:57:49
2016/6/21 22:57:49
日立的Usllo等人做了一级分子计算来OF140SD100D分析空穴陷阱反应,通过空穴陷阱之间总的分子能量减去在空穴陷阱后的空穴反应能量来确定空穴陷阱的反应能量。...[全文]
虽然移动的氧化层电荷包括钠离子或其他离子2016/6/21 22:20:39
2016/6/21 22:20:39
其中,A是在si/s⒑2界面处与水相关的中性物质;h+是在硅表面的空穴。在NBTI应力期间,OES4818S1正氢离子从三价硅氢键siH中释放出来。其中一些氢离子从界面扩散到体二氧化硅中,其中...[全文]
介质膜2016/6/20 21:30:11
2016/6/20 21:30:11
介质膜。互连线HBD040YED-A上覆盖介质膜(钝化层)后,不仅可防止铝条的意外划伤、腐蚀及离子沾污,也可提高其抗电迁移及电浪涌能力。介质膜能提高抗电迁移的能力,是因表面覆有时降低了金属离子从...[全文]
热效应2016/6/20 21:28:40
2016/6/20 21:28:40
热效应。金属膜HBB5-3/OVP-A的温度及温度梯度(两端的冷端效应)对电迁移寿命的影响极大。当J106A/cm2时焦耳热不可忽略,膜温与环境温度不能视为相同,特别当金属条电阻率较大时影响更明...[全文]
缺陷产生的物理模型2016/6/20 21:17:16
2016/6/20 21:17:16
击穿的数学模型。HB273据氧化层的击穿是由于空穴被陷入并积聚在氧化层内的局部陷阱处造成的,陷入的空穴流可表示,灭凡x)是FN电流密度,正比于σ:/几x;α是电离碰撞空穴产生系数,与氧化层中的电...[全文]
TDDB效应的击穿机制2016/6/20 21:14:15
2016/6/20 21:14:15
当前,对栅氧击穿主要是由负电荷的电子或正电荷的空穴起主要作用的问题,HB244文献报道中说明是正电荷空穴积累得多,但也不能否定电子的作用,所以可能两者都起作用,只是何种(可能是空穴)为主的问题。...[全文]
交流HCl效应2016/6/20 20:58:01
2016/6/20 20:58:01
交流(AC)HCI效应与直流(DC)HCI效应的关系。在⒛世纪⒛年代的IC产品中,HB04U15S15当器件工作的应力电压为漏源电压(‰s)等于电源电压(%c)的110%和最坏栅源电压(吒s)条...[全文]
界面态的产生过程2016/6/19 19:10:26
2016/6/19 19:10:26
热电子的来源一般分为雪崩热载流子和沟道热载流子两类,它对应于器件的不同工作状态。如果吒s=‰s且/:s(0时,这时的条件叫雪崩热载流子注入条件,ESD5Z3.3T1G此时注入区主要发生在漏结附近...[全文]
数模混台⒏-CMOs工艺 2016/6/19 18:58:10
2016/6/19 18:58:10
数模混合Bi-CMOS与数字Bi-CMOs工艺之间的基本区别在于,数模混合Bi-CMOs通常工作在一个较宽的工作电压(高于10V)范围。由于这些高电压超出了一些由5V兼容Bi-CMOs工艺中所集...[全文]
双阱Bi-CMOs工艺2016/6/19 18:49:57
2016/6/19 18:49:57
可以通过向埋入N+区增加自校准埋入P层而提高双极型器件的集成度,如图4.32所示。EPM9320LC84-15这样可以使相邻势阱之间的间距变得更加紧凑,即相邻的集电极之间的间隔大大减小。除了间隔...[全文]
第一层金属2016/6/18 21:00:11
2016/6/18 21:00:11
接触孔制作完成后,沉积△、AlCu及光刻和刻蚀,去掉未被光刻胶覆盖的金属,TiN。OP221GS-REEL7接着进行第一层金属(金属1)的形成金属1互连,如图4.19所示。...[全文]
硅化物形成2016/6/18 20:55:07
2016/6/18 20:55:07
为减小多晶硅的电阻以及金属与多晶硅之间的接触电阻,CMOs工艺普遍采用金属硅化物工艺(Salicide)。OP221GS金属多采用钛(△)或钴(Co)。首先在圆片表面采用溅射的方式沉积一层△或C...[全文]
硅化物形成2016/6/18 20:55:07
2016/6/18 20:55:07
为减小多晶硅的电阻以及金属与多晶硅之间的接触电阻,CMOs工艺普遍采用金属硅化物工艺(Salicide)。OP221GS金属多采用钛(△)或钴(Co)。首先在圆片表面采用溅射的方式沉积一层△或C...[全文]
轻掺杂源漏(LDD)2016/6/18 20:50:49
2016/6/18 20:50:49
器件栅极形成后进行多晶氧化,在栅极OP220GSZ多晶上热生长一层si02。接着采用5#光刻版进行NMOs轻掺杂漏(ⅡghtlyDopcdDrain,LDD)的光刻,随后进行离子注入量级,形成N...[全文]
使用一个标准化的容器密封和传送整架的硅片2016/6/18 20:38:01
2016/6/18 20:38:01
为了在微环境包围的工艺设备之间转移硅片,使用一个标准化的容器密封和传送整架的硅片。OP2177AR-REEL7这个容器与各种设备具有一个标准机械接口,它最初是由惠普公司开发并制作成型的。当把一个...[全文]
集成电路的可靠性评估已经形成了完整的、系统的体系2016/6/17 21:46:29
2016/6/17 21:46:29
经过50多年的发展,集成电路的可靠性评估已经形成了完整的、系统的体系,H3CR-A8PS-300整个体系包含工艺可靠性、产品可靠性和封装可靠性。工艺可靠性评估是采用特殊设计的可靠性测试结构对集成...[全文]
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