饱和区。当U。。减小到一定程度(U。时)。特性曲线簇中每一条曲线都向下弯曲，即I。NE592N8迅速下降，每条曲线上出现一个转折点，如图中a，、a。…，这些点可粗略地认为是Ucb =0（即U。。=Ub。）的点，把曲线簇中每条曲绒的这种转折点连成的曲线称为临界饱和线（图3-35中左边的虚线），这条虚线以左至纵坐标轴之间为饱和区。在饱和区中工e对J。的控制作用很小，基本上没有什么电流放大作用。

   最大允许集电极电流ICM限制区。从晶体管手册的参数表中可以查到极限参数ICM的值，例如，3AG20的ICM =lOmA。

   晶体管的工作电流不可以超过这个极限值，所以把曲线簇图上在这个限值(ICM)以上的区域称为最大允许集电极电流限制区。

   击穿区。前面说过，当Uce增大超过Ub时，管子就出现击穿。

   根据不同Ib所作出的每一条输出特性曲线上，都有一个击穿电压BUc。，例如，Jn=0的这条曲线的击穿电压为BUce =17. 5V，Ib一30pz,A曲线上击穿电压为BUce2 =16. 7V,  Ib一50pLA的曲线上击穿电压为BUc。s =16V。

   把BU。，、BU。。。、BU ce。这些击穿电压点连接起来就成了一条击穿电压的临界线，晶体管的工作电压U ce超过这条线就会使集电极电流急剧增大，引起管子损坏，把这条临界线以右的区域称为击穿区。

   集电极最大允许耗散功率PCM限制区。从晶体管手册的参数表中可以查到极限参数PCM的值(例如，3AG25昀PCM一50MW)，它就是集电极上最大允许的耗散功率。

   晶体管工作在放大状态时，发射结的正向电压较小，集电结反向电压较大，但通过两个结的电流近似相等，即I。≈I。，因此，晶体管的消耗功率主要是指消耗在集电结上的功率，用Pc表示。。