场效应管是一种与普通晶体管结构和工作原理不同的电子器件，一般书中常用字母FET来简称，它是Field Effect Transistor的缩写。场效应管按照其内部结构可分为两大类：一类是结型场效应管(缩写为JFET)； AD7775BJR-P94另一类是绝缘栅场效应管(缩写为IGFET)，也称为金属  氧化物一半导体绝缘栅场效应管(缩写为MOSFET)，通常称为MOS场效应管。场效应管与晶体管一样，也分PNP和NPN两个类型，按其内部沟道所采用的半导体材料，又分为N沟道和P沟道两种。所谓沟道，就是电流通道。

   结型场效应晶体管的工作原理

   以N沟道结型场效应管为例，它是由两部分组成的，如图2 - 69 (a)所示。它的本体是一块N型硅材料，叫N沟道，引出两个电极分别称为源极(S)和漏极(D)。本体两边各附一小片P型材料，引出电极称为栅极(G)。