来源：《电子产品世界》

双频/gsm 3.6v集成功率放大器 motorola公司的mrfic1859是个款双频单电源（23.6v）rf集成功率放大器，设计用于gsm900/dcs1800手持无线装置。改变匹配电路，它也可以用于3频gsm900/dcs1800/pcs1900装置。3.6v下的典型特性是：gsm：pout=35.8dbm,pae=53%;dcs:pout=34dbm,pae=43%.它具有个个宽频带（900～，1800mhz）内部负电压产生器，此负电压产生器是基于输入载波经2级缓冲器放大后的rf整流（见图1）。这种方法消除了采用dc/dc变换器类型的负电压产生器时出现在输出信号上的寄生信号。缓冲器也产生个个升压的正电压，此电压可用于驱动nmos漏极开关。

应用电路考虑

mtfic1859典型应用电路示于图2.可用改变适当外部元件的数值和位置来调节mrfic1859.在调节rf时，建议加外部负电源以避免对功率放大器级的任何损坏。输入调节不好导致不能提供足够的rf功率来恰当地操作负电压产生器。

gsm的输入匹配是用并联c、串联l的低通结构，dcs的输入匹配是用并联l、串闻l的高通结构。这种输入匹配应在额定输入功率（例如3.0dbm(gsm),5.0dbm(dcs)）下调整到最佳。由于输入线馈送到第1级和第1级缓冲器，所以输入匹配的调整应在缓冲器和q1漏级匹配反复迭代来完成。应当注意，芯片上包括dc级塞电容器。

第1级缓冲放大器用短的80ω微带线（可以用芯片电感器替代）调谐。第2级缓冲放大器经个个分立的芯片电感器供电和匹配。调节这两个元件，便利从电压产生器得到最大输出。缓冲器总电流（db1+db2）个般为60ma左右（对于gsm）和100ma左右（对于dcs）。然而，负电压产生器需要1.0μs建立时间。在此期间，两级都偏置到idss，每级大约为200ma。

在引脚2可得到升压正电压，大约为10v（每个频段），可用于激励nmos漏极开关。

q1漏级通过80ω印制微带线（微带线也可以用分立的芯片电感器替代）供电和匹配。微带线长度（或等效电感值）通过可调节rf去耦电容器进行调节，以便在第1级上得到最大增益。

q2漏极通过60ω印制微带线供电，此微带线也用于级间匹配，以便最佳地驱动末级。

q2g和q2d线的长度是很短的，故无法用分立电感器替代。

q3级经50ω印制微带线馈电，微带线必须能应付该级大电流（峰值2.0a）而没有显著的压降。该线可置入内层以节省pcb面积，或是分立的rf扼流圈。

在两个频段的输出匹配是用2级低通网络实现的。这种网络是用放置在50ω微带传输线上的并联电容实现的。数值和位置的选择以达到2.0ω的负载线，并与器件输出分布参数成共轭匹配。该网络也必须对2次和3次谐波电平作恰当的终接。建议第1级输出匹配电容电路采用高q值电容器，以便获得最好的输出功率和效率特性。

应当指出：输出匹配电容器类型和电源的选择将影响h2和h3电平和效率，原因是串联谐振频率。

对于gsm频段，rf去耦电容器（c17，c14，c22，c9，c1，c8）选择47pf，而dcs频段选择c10，c15，c13为22pf或12pf。

电路调谐方法

用d1b（t8线）和d2baqsg(l3电感器)使缓冲器工作在最佳状态。同时分别用l1、c21或l2、t10调谐gsm或dcs的输入匹配。

对于gsm或dcs，分别用d1g、d2g匹配（t9线）或d1d、d2d、g2d匹配（t9线、c8）使rf对准线性增益最佳。目标是使小信号增益最大和使小信号增益位于中心位置。线性增益应最高达40db左右（对于gsm）和32db左右（对于dcs）。

对gsm或dcs，分别用t4、c3、t1、c4、t2或t6、c2、t5、c6、t3使输出匹配最佳。这些元件设定了pout/pae的折中关系和谐波抑制性能。

采用上述调谐方法，可以使rf性能达到最佳并为降低串扰和谐波分量找到最佳配置。

控制考虑

mrfic1859在应用上采用了motorola研发的gaas ipa漏极控制技术。该方法依赖于这样个个公式：工作在饱和模式下的rf功率放大器，它的输出功率正比于放大器漏极电压的平方——pout(瓦