根据晶体管输入特性曲线，对共发射极电路中晶体管输入特性分析如T：

   (1)当集电极与发射极间开路时（即C、E间断开），由于只有B、E间加有电压。P4KE130A此时的特性曲线只是发射结的特性曲线，相当于一只二极管的伏安特性曲线，它的正向导通电压为0. 2V（锗管），反向电流为IEBO，击穿电压为BⅥm。

   (2)当集电极与发射极间短路时（U旺一0），当基极电压为正时，它的基极电流比CE间开路时增大，因此特性曲线左移。当基极电压为负时，相当于集电极开路时的特性，发射极一基极间的反相饱和电流相当于IEBO与I．JBO之和。（ICBO是发射极开路时，集电极一基极间反向饱和电流）。

   (3)当UCE >0，即C、E间反偏时，在与上述Ueb相同的情况下，集电极电流i。增大，基极电流扎减小，所以曲线右移。Uce愈大，曲线移动程度也越大。但当Uce超过一定值时（增加量超过1V时），对基极电流“的影响减弱，故曲线右移量减小。

   (4)对于NPN型硅管的特性曲线分析，可以比照锗管进行，但应注意电源极性的不同和B、E间正向导通电压为0. 6V。