伏安特性。红外发P4KE12光二极管的伏安特性如图3- 30 (a)所示，由图可见，它和普通二极管的特性十分相似。

   图3- 30红外二极管的伏安特性和输出特性曲线

   红外发光二极管的正向压降U，与所用材料及通过的正向电流有关。砷化镓红外发光二极管的正向压降在1～2V;小功率管的正向压降在1～1. 3V;中功率管的正向压降在1.6～1. 8V;大功率管的正向压降≤2V。在使用时应注意驱动电源电压的数值应大于红外发光二极管的正向压降UF，否则不能克服死区电压产生的正向电流IF。

   红外发光二极管的反向击穿电压UR较低，约为5～30V。因此，使用中要注意其反向电压不得超过5V，否则可能造成元器件损坏。所以，在实际使用中需加限流电阻予以保护。