厂参数反应了晶体管的频率特性。HAT1108C晶体管的厂参数主要有f和／lm4项，它们统称为晶体管的频率特性。

   当我们用晶体管组成放大或振荡电路时，该电路的工作频率是有一定限度的，这个限度就是晶体管的最高I作频率，如果超过这个限度，晶体管的放大倍数就要下降，直至晶体管完全失去工作能力，电路完全不能工作。我们知道晶体管的电流（载流子）是由集电结收集后，经过基区输送由发射结发射输送到外电路的。其中发射结和集电结都是由PN结组成的，这两个PN结都具有电容效应(PN结都有结电容)。因此，当电信号经过晶体管时要有一个渡越时间，也就是说当电流流经晶体管时会产生延迟效应或称相移。

   当信号频率较低时，这个延迟效应较小，晶体管的工作状态几乎不受影响，因此可以忽略掉。但当信号频率较高时，载流子的渡越时间与信号周期相比就不能忽略了，由于在高频状态下，晶体管的结电容呈现较低的阻抗，这会使一部分信号被旁路，因而就会降低发射结的发射效率和集电结的收集效率，于是电路输出信号不仅在时间上有所延迟，而且在幅度上也有所下降了。

   当信号频率再提高时，可能出现注入的多数载流子在尚未到达集电区时，输入信号的幅 度和方向就开始变化了，结果造成载流子运动紊乱现象，以致使晶体管完全失去工作能力。

   随着工作频率的升高，所有晶体管的放大能力都会下降，但不同晶体管放大能力开始显著下降的频率是各不相同的。例如，有一些晶体管（低频管）的放大能力在lOkHz左右就开始下降，另一些管子（高频管）的放大能力在几兆赫或几十兆赫才开始下降，还有一些管子（超离频管或微波晶体管）可以一直工作到几百兆赫甚至几千兆赫。这就是所谓的晶体管频率特性。