半导体色敏传感器工作原理所表示的P+ -N -P不是晶体管，而是结深不同的两个P-N结二极管，RTL8201BL浅结的二极管是P+ -N结；深结的二极管是P-N结。当有入射光照射时，P+、N、P三个区域及其间的势垒区中都有光子吸收，但效果不同。如上所述，紫外光部分吸收系数大，经过很短距离已基本吸收完毕。在此，浅结的光敏二极管对紫外光的灵敏度高，而红外部分吸收系数较小，这类波长的光子则主要在深结区被吸收。因此，深结的那个光敏二极管对红外光的灵敏度较高。

   这就是说，在半导体中不同的区域对不同的波长分别具有不同的灵敏度。这一特性给我们提供了将这种器件用于颜色识别的可能性，也就是可以用来测量入射光的波长。将两个结深不同的光敏二极管组合，图10 -13所示的硅色敏管中VD,和VD2的光谱响应曲线就构成了可以测定波长的半导体色敏传感器。在具体应用时，应先对该色敏器件进行标定。也就是说，测定不同波长的光照射下该器件中两个光敏二极管短路电流的比值/SD2//SD1。/SD1是浅结二极管的短路电流，它在短波区较大；，。D2是深结二极管的短路电流，它在长波区较大，因而二者的比值与入射单色光波长的关系就可以确定。根据标定的曲线，实测出某一单色光时

的短路电流比值，即可确定该单色光的波长。