光电池是在光照射下直接将光能转换为电能的光电器件。光电池在光的作用下实际上就是电源，HEF4001BP电路中有了这种器件就不需要外加电源。

   光电池的工作原理是基于“光生伏特效应”的。它实质上是一个大面积的PN结，当光照射到PN结的一个面上（如P型面）时，若光子能量大于半导体材料的禁带宽度，那么P型区每吸收一个光子就产生一对自由电子和空穴，电子一空穴对从表面向内迅速扩散，在结电场的作用下，最后建立一个与光照强度有关的电动势。图8-19所示为光电池的工作原理。

   光谱特性：光电池对不同波长的光的灵敏度是不同的。图8-20所示为硅光电池和硒光电池的光谱特性曲线。从图中可知，不材料的光电池，光谱响应峰值所对应的入射光波长是不同的，硅光电池在0.8斗m附近，硒光电池在0.5斗m附近。硅光电池的光谱响应波长范围为0.4~1. 2ym，而硒光电池的范围为0.38~0.75 y,m可见硅光电池可以在很宽的波长范围内得到应用。