1)灵敏度特性磁敏电阻的灵敏度一般是非线性的，且受温度的影响较大。ADUM1311ARWZ磁阻元件的灵敏度特性用在一定磁场强度下的电阻变化率来表示，即磁场一电阻特性曲线的斜率。在运算时常用RB/RO求得，Ro表示无磁场情况下磁阻元件的电阻值，RB为施加0.3T磁感应强度时磁阻元件的电阻值。在这种情况下，一般磁阻元件的灵敏度大于2.7，如图6-15所示。由图6-15 (a)可知，磁阻元件的电阻值与磁场的极性无关，它只随磁场强度的变化而变

化。由图6-15 (b)可知，在0.2T以下的弱磁场中，曲线呈现二次方特性，而超过0.2T后呈现线性变化。

   2)温度特性图6-16所示的是一般半导体磁阻元件的温度特性曲线。由图可知，半导体磁阻元件的温度特性不好。磁阻元件的电阻值在不大的温度变化范围内减小得很快。因此在应用时，一般都要设计温度补偿电路。