磁阻效应除了与材料有关外，还与磁敏电阻的形状有关。考虑形状影响因素时，电阻率的相对变化为

    式中，/、6分别为电阻的长和宽；  ÷是形状效应系数。

   图6-14所示的是3种不同形状的半导体内电流线的分布，第1行为不加磁场的情况， ADUM1301ARWZ第2行为加磁场的情况。不加磁场时，电流密度与外加电场方向致，即与样品边缘平行、与电极垂直。加磁场后，由于产生横向电场，使电流密度方向偏离合成电场而形成一个角度。可见，在磁场作用下，电流流过的路程Z增长，使样品电阻R增大。然而，Z的增加与样品的形状有关，对于/>b的长条形样品，Z增加不明显；但对于/<b的扁条形样品，Z增加较明显，因而电阻增加较多；特别是圆盘形样品，从圆盘中心加以辐射形外电场时，几何磁阻效应特别明显，即在恒定磁感应强度下．磁敏电阻的长度与宽度的比越小，电阻率的相对变化越大。长方形磁阻器件只有在Z<6的条件下，才表现出较高的灵敏度。在实际制作

磁阻器件时，需在/>b的长方形磁阻材料上制作许多平行等间距的金属条（即短路栅格），短路霍尔电势。科尔比诺圆盘形磁阻器件的中心和边缘各有一个电极，因为圆盘形的磁阻最大，故大多数的磁阻元件做成圆盘结构。