磁敏电阻器是基于磁阻效应的磁敏元件，ADUM1250ARZ它是磁阻位移传感器、无触点开关等的核心部件。

   磁阻效应

   当一个载流导体置于磁场中时，其电阻值会随磁场变化而变化，这种现象被称为磁阻效应。当温度恒定时，在磁场内，磁阻和磁感应强度曰的二次方成正比。如果器件只有在电子参与导电的简单情况下，理论推导出来的磁阻效应方程为

   p =Po（1+0. 273/LL282）

   式中，p是磁感应强度为B时的电阻率；Po是零磁场下的电阻率；肛是电子迁移率；B是磁可以看出，在磁感应强度B-定时，迁移率越高的材料（如InSb、InAs、NiSb等半导体材料）的磁阻效应越明显。从微观上讲，材料的电阻率增加是因为电流的流动路径因磁场的作用而加长所致。