常用国产霍尔元件的技术参数
发布时间:2014/11/5 20:58:27 访问次数:2734
一般金属材料载流子迁移率很高，但电阻率ADM232LAR很小；而绝缘材料电阻率极高，但载流子迁移率极低。故只有半导体材料适于制造霍尔元件。目前常用的霍尔元件材料有锗、硅、砷化铟、锑化铟等半导体材料。其中N型锗容易加工制造，且其霍尔系数、温度性能和线性度都较好。N型硅的线性度最好，且其霍尔系数、温度性能同N型锗相近。锑化铟对温度最敏感，尤其在低温范围内温度系数大，但在室温时其霍尔系数较大。砷化铟的霍尔系数较小，温度系数也较小，输出特性线性度好。表6-2列出了常用国产霍尔元件的技术参数。
表6-2 常用国产霍尔元件的技术参数
一般金属材料载流子迁移率很高，但电阻率ADM232LAR很小；而绝缘材料电阻率极高，但载流子迁移率极低。故只有半导体材料适于制造霍尔元件。目前常用的霍尔元件材料有锗、硅、砷化铟、锑化铟等半导体材料。其中N型锗容易加工制造，且其霍尔系数、温度性能和线性度都较好。N型硅的线性度最好，且其霍尔系数、温度性能同N型锗相近。锑化铟对温度最敏感，尤其在低温范围内温度系数大，但在室温时其霍尔系数较大。砷化铟的霍尔系数较小，温度系数也较小，输出特性线性度好。表6-2列出了常用国产霍尔元件的技术参数。
表6-2 常用国产霍尔元件的技术参数
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