变磁阻式传感器通常都具有线圈。将传感器G40N60B3线圈等效成图3-2所示的等效电路，并对电路参数进衍简单讨论。

   【铜损电阻R。】取决于导线材料及线圈的几何尺寸。

   【涡流损耗电阻R。】由频率为厂的交变电流激励产生的交变磁场，会在线圈、铁心中造成涡流及磁滞损耗。根据经典的涡流损耗计算公式可知，为降低涡流损耗，叠片式铁心片的厚度应尽量薄；高电阻率有利于损耗的下降，而高磁导率却会使涡流损耗增加。

   【磁滞损耗电阻R。】铁磁物质在交变磁化时，磁分子来回翻而要克服阻力，类似摩擦生热的能量损耗。

   【寄生电容C】主要由线圈的固有电容与电缆分布电容构成。

   为便于分析，先不考虑寄生电容C和磁滞损耗电阻R，并将图3-2中的线圈电感与涡流损耗电阻等效为串联铁损电阻R"与串联电感L’的等效电路。这时R'e和L’的串联阻抗与R。