4164芯片是一种64Kxl位的DRAM，微机系统常用的芯片还有2116 (16Kxl)、2164( 64Kxl)、4116 (16Kxl)、41256 (256Kxl)等。4164内部结构如图2-8所示。    

   DRAM集成度较高， AD5379ABC对于同样的引脚数，其单片容量往往比SRAM高。内部存储单元按矩阵形式排列成存储体，通常采用行、列地址复合选择寻址法。4164芯片的16位地址分两次通过8条地址线送入芯片内部，所以在使用4164芯片时，必须在芯片外部配备多路转换器，如图2-9所示。其先后顺序是：首先由行地址选通信号RAS上的低电平选通，将第一组8位地址( A6—AO)作为行地址至4164芯片内部行地址锁存器中锁存；RAS信号失效后，列地址选通信号CAS低电平有效，将列地址送入4164芯片锁存。行、列地址译码器共同选择存储阵列的存储单元工作，在CPU送来写控制信号WE后，完成相应的读／写WE=1，写操作）。

   只读存储器简称为ROM。ROM中的信息，通常是在脱机状态下或在特殊环境下写入的，故把ROM的写信息又称为编程。并且一旦写入以后，就不能随意更改，特别是不能在程序运行的过程中再写入新的内容，而只能在程序执行的过程中读出其中的内容，所以称为只读存储器。ROM的另一特点是它所存储的内容在断电时不会消失，称为非易失性存储器，而RAM由于断电后触发器或寄生电容存放的信息就消失，称为易失性存储器。

   ROM按照存储原理的不同，又可以分为掩膜的ROM、一次编程PROM和可擦除可编程EPROM。