图11-23给出在一个由隔离平面供电的微处理器和它的振荡电路的PCB上，从20～120MHz Vcc对地噪声电压。图11-23 (a)给出在给微处理器供电的隔离平面上VCC对地噪声电压，图ll-23(b)给出了主电源层上的V。c对地噪声电压。HEF4021BP在图11-23 (a)中，我们看到微处理器的无效去耦产生大量的时钟噪声。将图11-23 (a)和图11-23 (b)进行比较，我们看到与被隔离的电源平面上的噪声相比较，在60MHz以上在主Vcc平面上的时钟噪声实际上已排除，低于60MHz时噪声也减小很多。

   注意到当用这个方法时，没有信号迹线穿过电源平面的缝隙，正如16.3节将讨论的，在邻近层上这会中断返回电流的通路。由隔离平面馈电的与IC相连的所有信号迹线必须在与完整的平面（电源或接地）邻近的层上布设路径。因此，这个方法有布线的限制，而先前所讨论的分布式电容方法性能更好些，由于去掉了电容和与其相关的导通孔而实际简化了路径。

   隔离电源平面的方法有时通过在一个信号层上印制隔离平面来完成，取代了实际电源层的分割。在这种情况下，隔离的电源平面通常被称作一个电源岛或“电源坑”。无论分割电源层还是电源岛的方法，结果是一样的。