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带状线

发布时间:2014/4/17 20:34:35 访问次数:1155

    图10-36给出了一个与电源层和接地层都相邻的带状线上由骶到高转换的电流通路。正HA17324ARPEL如所看到的,电流源是去耦电容加上迹线到电源层的寄生电容。去耦电容电流(实线箭头)从CMOS驱动器上面的晶体管流过信号迹线到负载,然后流过迹线到接地层的寄生电容返回接地层的去耦电容。迹线到电源层的电容电流(虚线箭头)流过电源层返回驱动器IC,然后流过驱动器上面的晶体管返回信号迹线。注意这个结构,电流流过接地层和电源层,且电流在两个层上的流向相同,在这种情况下,都是从负载流向源。

        

    图10-36  由低到高转换时,与接地层和电源层都相邻的带状线上电流的流动

   图10-37给出了一个与电源和接地层都邻近的带状线上由高到低转换的电流通路。正如所看到的,电流源是去耦电容加上迹线到接地层的电容。去耦电容电流(实线箭头)流过电源层,经过迹线到电源层的电容返回信号迹线上的驱动器IC,然后通过CMOS驱动器下面的晶体管返回到去耦电容。迹线到接地层的电容电流(虚线箭头)流过信号迹线返回驱动器IC,然后经过下面的驱动晶体管返回到接地层。注意到这个结构,电流在接地层和电源层上流向也相同;但是在这种情况下,电流方向都是从源流向负载。

       

    图10-37  由高到低转换时,与接地层和电源层都相邻的带状线上电流的流动

   对于有两个接地层的带状线,除了带状线例子中每个平面只载有一半的总电流外,电流源和电流通路与只有一个接地层的微带线(见图10-32和图10-33)是一样的。对于有两个电源层的带状线,除了每个平面只载有一半的总电流外,电流流动与只有一个电源层的微带线(见在所有带状线的例子中,电流在两个不同的信号回路中流动,且两个回路中电流流向相反,一个回路是逆时针(CCW),另一个回路是顺时针(CW),另外每个回路中只包含一半的总电流。因此,来自两个回路的辐射减小且趋于彼此抵消。所以,带状线结构比微带线产生的辐射小得多。另外,两个层能屏蔽出现的辐射,这也能减少更多的发射。



    图10-36给出了一个与电源层和接地层都相邻的带状线上由骶到高转换的电流通路。正HA17324ARPEL如所看到的,电流源是去耦电容加上迹线到电源层的寄生电容。去耦电容电流(实线箭头)从CMOS驱动器上面的晶体管流过信号迹线到负载,然后流过迹线到接地层的寄生电容返回接地层的去耦电容。迹线到电源层的电容电流(虚线箭头)流过电源层返回驱动器IC,然后流过驱动器上面的晶体管返回信号迹线。注意这个结构,电流流过接地层和电源层,且电流在两个层上的流向相同,在这种情况下,都是从负载流向源。

        

    图10-36  由低到高转换时,与接地层和电源层都相邻的带状线上电流的流动

   图10-37给出了一个与电源和接地层都邻近的带状线上由高到低转换的电流通路。正如所看到的,电流源是去耦电容加上迹线到接地层的电容。去耦电容电流(实线箭头)流过电源层,经过迹线到电源层的电容返回信号迹线上的驱动器IC,然后通过CMOS驱动器下面的晶体管返回到去耦电容。迹线到接地层的电容电流(虚线箭头)流过信号迹线返回驱动器IC,然后经过下面的驱动晶体管返回到接地层。注意到这个结构,电流在接地层和电源层上流向也相同;但是在这种情况下,电流方向都是从源流向负载。

       

    图10-37  由高到低转换时,与接地层和电源层都相邻的带状线上电流的流动

   对于有两个接地层的带状线,除了带状线例子中每个平面只载有一半的总电流外,电流源和电流通路与只有一个接地层的微带线(见图10-32和图10-33)是一样的。对于有两个电源层的带状线,除了每个平面只载有一半的总电流外,电流流动与只有一个电源层的微带线(见在所有带状线的例子中,电流在两个不同的信号回路中流动,且两个回路中电流流向相反,一个回路是逆时针(CCW),另一个回路是顺时针(CW),另外每个回路中只包含一半的总电流。因此,来自两个回路的辐射减小且趋于彼此抵消。所以,带状线结构比微带线产生的辐射小得多。另外,两个层能屏蔽出现的辐射,这也能减少更多的发射。



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