对于磁场屏蔽，电路G有很大的改进，它通过同 2SA940轴电缆形成小的回路面积和没有接地环路避免了破坏屏蔽。同轴电缆提供了一个小的回路面积，因为屏蔽可以用放置于其中心轴线上的等价导体来表示。这个有效的屏蔽位于中心导体的轴线上或其附近。

   可以预期电路H中的双绞线会提供超过55dB的屏蔽，屏蔽减少是由于双绞线未屏蔽和终端不平衡出现一些电场耦合（见4.1节）。这在电路I中可以看出，通过在双绞线周围放置一个屏蔽层把衰减增加到70dB。事实上电路G比I的衰减更好，说明在这种情况下，特别是同轴线比双绞线对磁场呈现一个更小的回路面积。然而，在一般情况下这不一定正确。对于H或I电路中的双绞线，增加每单位长度的匝数将会减少耦合。一般来说，对于低频磁屏蔽电路I优于G，因为在电路I中屏蔽层也不是一根信号线。

   如电路J中屏蔽两端接地使屏蔽效果略有下降。这种下降是因为在接地环路中由屏蔽层形成的高屏蔽电流在两个中心导体上感应不相等的电压，电路K提供了比I更好的屏蔽，因为它融合了同轴线G和双绞线I的特征。通常情况下，电路K并不是理想的，因为羼礴层上产生的任何噪声电压或噪声电流可能流向信号导线，它总是要比把屏蔽层和信号线f~41J -点上效果要更好一些。屏蔽层的噪声电流不从这一点流过信号线到地。

   请记住这些实验结果只是对相对较低频率(50kHz)的磁场屏蔽，并且试验配置中电缆两端之间的接地电位没有差异。