霍尔传感器的结构和基本原理

   1．霍尔效应

   如图11-22所示， X5045PZ将一个通电导体（设电流为D放在磁场（设磁感应强度为B）中时，在该导体的两侧会产生电压UH，该电压叫霍尔电压，这个现象叫霍尔效应。

   图11-22霍尔效应示意图

    2．霍尔元件和霍尔传感器

     ①霍尔元件：由于半导体产生的霍尔效应较明显，所以霍尔元件一般用半导体材料（一般是锑化铟）制成，其结构如图11-23所示。图中引脚1和2外接额定电压以在导体中形成电流，引脚3、4为霍尔电压的输出脚。

   磁性体顶端（用于聚集

    ②霍尔传感器：霍尔元件产生的霍尔电压较小，所以应用中将霍尔元件、放大电路、温度补偿、稳压等制作在一个芯片上，形成一个集成元件，这就是霍尔传感器。