石英晶体振荡器有以下主要参数。

   ①标称频率：在规定的负载电容下，W78M32V-70BM晶振元件的振荡频率即为标称频率fo。标称频率是晶体技术条件中规定的频率，通常标识在产品外壳上。需要注意的是，晶体外壳所标注的频率既不是串联谐振频率也不是并联谐振频率，而是在外接负载电容时测定的频率，数值介于串联谐振频率与并联谐振频率之间。所以即使两个晶体外壳所标注的频率是一样的，其实际频率也会有些小偏差（工艺引起的离散性）。

   常用普通晶振标称频率有48kHz、500kHz、503.5kHz、1～40.50MHz等，对于特殊要求的晶振频率可达到1000MHz以上。

     ②负载电容：晶振元件相当于电感，组成振荡电路时需配接外部电容，此电容即负载电容。负载电容是与晶体共同决定负载谐振频率fL（实际表现出的频率）的有效外界电容，通常用CL表示。设计电路时必须采用产品手册中规定的CL值，才能使振荡频率符合晶振的fL。在应用晶振时，负载电容(CL)的值是直接由厂家提供的，无须再去计算。常见的负载电容为8pF、12pF、15pF、20pF、30pF、50pF、lOOpF。应选用lOpF、20pF、30pF、50pF、lOOpF这样的推荐值。

   负载电容的不同决定丁振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振，负载电容不一

定相同。因为石英晶体振荡器有两个谐振频率：一个是串联谐振频率（低负载电容）；另一个是并联谐振频率（高负载电容）。所以，标称频率相同的晶振互换时还必须要求负载电容一致，否则会造成电器工作不正常。

   ③调整频差：在规定条件下，基准温度（25℃士2℃）时工作频率相对于标称频率所允许的偏差。

   ④温度频差：在规定条件下，在工作温度范围内相对于基准温度（25℃+2℃）时工作频率的允许偏差。

   ⑤老化率：在规定条件下，晶体工作频率随时间而允许的相对变化。以年为时间单位

衡量时称为年老化率。    、

   ⑥静电容：等效电路中与串联臂并联的电容通常用Co表示（如图9-3所示）。

   ⑦负载谐振频率魄）：在规定条件下，晶体与一个负载电容相串联或相并联，其组合阻抗呈现为电阻性时的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时，负载谐振频率是两个频率中较低的一个；在并联负载电容时，则是两个频率中较高的一个。