场效应管和普通三极管一样，UPSD3333DV-40T6可以用做开关或放大器，利用栅极的电压信号，控制源极和漏极之间的电流。JFET和MOSFET使用的场合略有不同。JFET可用做模拟开关发信号放大器，特别是低噪声的放大器，但很少用在数字电路中的逻辑运算及功率放大器中；MOSFET月途较广，除一般的开关、信号放大器及功率放大器外，在数字电路及内存等大规模集成电路( VLSI)方面都是MOSFET的天下。

   场效应管应用在模拟信号放大器的设计方法和普通三极管类似。对应普通三极管的共射、共基和共集电三种接法，场效应管也有共源、共栅和共漏三种接法。漏极不能作为输入端，栅极不能作为输出端，与普通二极管集电极和基极的限制一样。场效应管应该偏压在饱和区（或恒流区），栅极的电信号叠加在原来的直流偏压上，可造成输出电流为的变化。

    偏压电路

   由场效应管组成放大电路时，也要建立合适的静态工作点Q，而且场效应管是电压控制器件，因此需要有合适的栅一源偏置电压。常用的直流偏置电路有两种形式，即自偏压电路和分压式偏置电路。

    自偏压电路

    场效应管放大器的自偏压电路如图8-16所示。其中，场效应管的栅极通过电阻Rg接地，源极通过电阻R接地。

     自偏压电路靠漏极电流fD在源极电阻R上产生的电压为栅一源极之间提供一个偏置电压Uos，故称为自偏压电路。

     在静态时，源极电位US=/DXR。由于栅极电流为零，故Rg上没有电压降，栅极电位UG=O，所以栅一源偏置电压UCS=UG-US=-/DxR。自偏压电路只遁用于结型场效应管或耗尽型MOS管。自偏压电路不宜用于增强型MOS管，因为静态时该电路不能使管子开启(即/D=O)。

   增强型MOS管只有在栅一源电压达到其开启电压UT时，才有漏极电流南产生，因此如图8-16 (a)所示的自偏压电路适合结型场效应管及耗尽型MOS管；而如图8.16 (b)所示电路只适用于耗尽型MOS管，因为在栅一源电压大于零、等于零和小于零的一定范围内，耗尽型MOS管均能正常工作，N沟道结型场效应管在栅一源电压大于零时不能正常工作。