当栅一源电压IUG。I>UP时，ULN2003APG沟道全部被夹断，/D+一o，这时场效应管处于截止状态。截止区处于输出特性曲线图的横坐标轴附近。

    增强型NMOS管的UGS< UTN时，管子截止，/D～O。当UOS> UN时，管子导通，若UDS值较小，则工作于可变电阻区，D、S极之间相当于一个小值电阻RDScON);若UDS较大，则工作于恒流区，fD不随UDS的变化而变化。管子的恒流区多用于模拟电路，而夹断区和可变电阻区多用于数字电路。

    转移特性曲线

    漏极电流fD和栅一源之间电压UGS的关系称为场效应管的转移特性，fD较大时，南与Ucs的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs。

     转移特性曲线用来描述UDS取一定值时，fD与UOs之间的关系曲线，它反映了栅一源电压Ucs对咕的控制作用。场效应管的转移特性曲线如图8-12所示。

    由于转移特性和输出特性都是用来描述Uas. UDS及fD之间的关系的，所以转移特性曲线可以根据输出特性曲线绘出。

     转移特性曲线可表示饱和区中fD与Uos的关系。在饱和区内，为可近似地表示为fD：fD。。1一Uos  (UP<UcS≤O)。式中，/DSS为Uos=0，UDS≥O咐的漏极电流，称为饱和漏极电流。(a)N沟道结型场效应管转移特性曲线(b)N沟道增强型MOS管转移特性曲线(c)N沟道耗尽型MOS管转移特性曲线。

   图8-12场效应管的转移特性曲线

   由转移特性曲线可见，当UGS<UCS(th)时，导电沟道没有形成，/D=O。当Uos≥Ucs cth，时，开始形成导电沟道，并随着UGS的增大，导电沟道变宽，沟道电阻变小，电流而增大。