场效应管是场效应晶体管(Field Effect Transistor，FET)的简称。它属于电压控制型半导体器件，TY00680002ARGQ具有输入电阻高(107～109Q)、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、受温度和辐射影响小等优点，特别适用于要求高灵敏度和低噪声的电路。

   场效应管与三极管的异同

   场效应管和三极管一样都具有放大作用和开关作用，但由于它们的构造和工作原理截然不同，所以二者的差别很大。在某些特殊应用方面，场效应管优于三极管。

   普通晶体管（三极管）是一种电流控制元件，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以称为双极型晶体管；而场效应管(FET)是一种电压控制器件（改变其栅源电压就可以改变其漏极电流），工作时，只有一种载流子参与导电，因此称为单极型晶体管。

   三极管与场效应管的区别见表8-1。表8-1  三极管与场效应管区别