稳压二极管的伏安特性如何
发布时间:2013/12/26 21:08:45 访问次数:2141
对于检波二极管或小功率整流管,应将万PT7A6525JPT用表拨至R×100挡,其正向电阻为几百欧(硅管为几千欧);对于整流二极管,特别是大功率的整流二极管,应将万用表拨至Rxl挡,其正向电阻为十几或几十欧;检测反向电阻时,除大功率的硅材料整流二极管以外,一般应将万用表拨至JR×lk挡,其阻值应在几百干欧以上。
顺便指出,检测一般小功率二极管的正、负向电阻值,不宜使用Rxl和尺×lOk挡。这是因为前者通过二极管的正向电流较大,可能烧毁管子;后者加在二极管两端的反向电压太高,易将管子击穿。另外,二极管的正反向电阻值随检测用电表的量程(R×100挡还是尺×lk挡)不同而不一样,甚至相差比较悬殊,这属正常现象。稳压二极管的伏安特性如何?
答:稳压二极管是一种用于稳压、工作于反向击穿状态的特殊二极管,它的伏安特性曲线如图2.31所示。从特性曲线上可以看出,其正向特性与普通半导体二极管没有什么差异,但反向特性却有很大的差异。普通二极管在反向电压的作用下,当电压增加到一定数值时,其反向电流会迅猛上升,使二极管击穿,以致发热烧毁。产生这种现象的原因是普通二极管最大耗散功率不够,无法在击穿区工作。
图2.31 稳压二极管的伏安特性曲线
稳压二极管一般用硅( Si)半导体材料制成,它能零受较大的工作电流及耗散功率。当反向电压没有达到击穿电压时,其反向电阻值一直很大,反向电流极小,如图2.31左下方所示;当反向电压临近击穿电压时,反向电流会急剧增大,这时稳压管便进入击穿区。进入击穿区后,反向电流会在很大范围内变化,如图2.31左下方所示反向电流从5mA增大到40mA,但稳压二极管两端的电压稳定在6~6.4V,起到稳定电压的作用。
对于检波二极管或小功率整流管,应将万PT7A6525JPT用表拨至R×100挡,其正向电阻为几百欧(硅管为几千欧);对于整流二极管,特别是大功率的整流二极管,应将万用表拨至Rxl挡,其正向电阻为十几或几十欧;检测反向电阻时,除大功率的硅材料整流二极管以外,一般应将万用表拨至JR×lk挡,其阻值应在几百干欧以上。
顺便指出,检测一般小功率二极管的正、负向电阻值,不宜使用Rxl和尺×lOk挡。这是因为前者通过二极管的正向电流较大,可能烧毁管子;后者加在二极管两端的反向电压太高,易将管子击穿。另外,二极管的正反向电阻值随检测用电表的量程(R×100挡还是尺×lk挡)不同而不一样,甚至相差比较悬殊,这属正常现象。稳压二极管的伏安特性如何?
答:稳压二极管是一种用于稳压、工作于反向击穿状态的特殊二极管,它的伏安特性曲线如图2.31所示。从特性曲线上可以看出,其正向特性与普通半导体二极管没有什么差异,但反向特性却有很大的差异。普通二极管在反向电压的作用下,当电压增加到一定数值时,其反向电流会迅猛上升,使二极管击穿,以致发热烧毁。产生这种现象的原因是普通二极管最大耗散功率不够,无法在击穿区工作。
图2.31 稳压二极管的伏安特性曲线
稳压二极管一般用硅( Si)半导体材料制成,它能零受较大的工作电流及耗散功率。当反向电压没有达到击穿电压时,其反向电阻值一直很大,反向电流极小,如图2.31左下方所示;当反向电压临近击穿电压时,反向电流会急剧增大,这时稳压管便进入击穿区。进入击穿区后,反向电流会在很大范围内变化,如图2.31左下方所示反向电流从5mA增大到40mA,但稳压二极管两端的电压稳定在6~6.4V,起到稳定电压的作用。
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