场效应管放大器

发布时间:2013/11/4 19:38:53 访问次数:987

    场效应管(无论是JFET还是MOSFET)可用于类似于BJT的任何电路结构的放大器。FET的结构有共源(common-source)、共漏(common-drain)和共栅(common-gate)型。FET的三种结构分别类似于BJT结构的共射、共集和共基型。和BJT的共基结构一样，FET的共栅结构很少使用，将不予介绍。TSM103WAIDT和BJT -样，FET也是即可用于A类工作，也可用于B类工作，怛这里仅限于A类。
    在学完本节后，应该能够分析两种FET放大器：
    ①计算FET的跨导。
    ②分析共源放大器。
    ③分析共漏放大器。
   FET的跨导
    回想一下，在BJT中，是靠基极电流控制集电极电流，两个电流之间的关系表示。在FET中，是栅极电压控制漏极电流。FET的一个重要参数就是跨导.
    跨导是确定FET放大器电压增益的一个因数。在数据表中，有时将跨导称为正向跨导(forward transad-mittance)，用符号y。表示，单位为西[门子](S)。有些数据表仍用较老的单位姆欧(mho)作为y“的单位。
   共源(CS)放大器
    一个自偏压的共源(CS)JFET放大器，交流信号源通过电容耦合到栅极上。电阻RG起两个作用：①将栅极直流电压保持在近似O V(因为IGSS非常小)；②其大阻值(通常为几M\O)阻止交流信号源的加载。偏置电压是由R。上的电压降产生的。旁路电容器C3保持FET的源极有效地处于交流地电位。
    信号电压使得栅一源电压在其Q点上下摆动，在漏极电流中产生一个摆动。当漏极电流增加时，RD上的电压降也螬加，导致漏极电压（相对于地）下降。
    在其Q点的值处上下摆动的漏极电流与栅一源电压同相。在其Q点处上下摆动的漏一源电压与栅一源电压有180。的相位差。

上一篇：增强型场效应管( E-MOSFET)

上一篇：振荡器的工作原理

相关技术资料: 11-4场效应管放大器

相关IC型号: TSM103WAIDT; TSM1001DLM; TSM1002DS; TSM100ID; TSM1011AIST; TSM1011IDT; TSM1011IST; TSM1013AIDT; TSM1013IDT; TSM1013IST; TSM101AC

场效应管放大器

热门点击

推荐技术资料