这种场效应管只能工作于增强模式，TSM101AIDT没有耗尽型模式。在结构上，它不同于D -MOSFET，它没有沟道。注意图17. 38(a)．其衬底完全伸展到了S102层中。
    对于n沟道器件，大于阈值电压的正栅极电压通过在与Si02层相邻的衬底区产生一薄层负电荷，感应出一个沟道，如图17. 38(b)所示。沟道的导电性随栅一源电压的提高而增强，因而将更多的电子推人沟道。对于低于阈值的任何栅极电压都没有沟道。

          
    图17. 37   D-MOSFET的电路符号    图17. 38    E-MOSFET的结构及工作
    当然，输入电容是由绝缘栅结构产生的。由于输入电容与非常大的电阻相结合，因此会累积过量的静电荷，作为静电放电( ESD，Electro-StaticDischarge)的结果，会导致器件毁坏。为了预防静电放电和可能的毁坏， 图17.39  E-MOSFET的电路符号应该采取以下预防措施。

                
    ①MOS器件应该放在导电泡沫塑料中进行运输。
    ②用于装配和测试的所有仪器和金属实验台都必须连接到大地（墙壁插座的圆插头）。
    ③装配者或操作者的手腕必须通过一根长导线和一个大阻值串联电阻连接到大地。
    ④千万不要带电从电路上拆除MOS器件（或任何其他器件）。
    ⑤不要在未加直流电的情况下给MOS器件加信号。