金属氧化物半导体场效应管( MOSFET, metal-oxide semiconductorField-Effect Transistor)是第二种场效应管。MOSFET不同于JFET，它没有pn结结构，相反，TSM101ACDT它的栅极和沟道之间是被一个二氧化硅( Si0：)层所绝缘的。MOSFET的两种基本类型是耗尽型(D，Depletion)和增强型(E，Enhancement)。
    耗尽型MOSFET(D-MOSFET)
    MOSFET的一种类型是耗尽型MOSFET，图17.35给出了其基本结构示意图。漏极和源极扩散到衬底材料中，然后通过一个窄沟道与绝缘栅极相邻。图中同时给出了n沟道和p沟道的示意图。本书将利用n沟道器件说明基本的工作原理。除了电压的极性与n沟道器件相反之外，p沟道器件的工作原理和n沟道是相同的。
    图17. 35    D-MOSFET基本结构的表示

         
    D-MOSFET可以工作于耗尽模式或增强模式中的任何一种模式，有时称为耗尽型／增强型MOSFET。由于栅极与沟道是绝缘的，因此栅极既可以加正电压，也可以加负电压。当加负的栅一源电压时，n沟道MOS-FET工作于耗尽模式；当加正的栅一源电压时，工作于增强模式。
    耗尽模式如图17.36(a)所示。把栅极着作平板电容器的一个极板，把沟道看作另一个极板。硅氧化物绝缘层就是介质。对于负栅极电压，栅极上的负电荷从沟道中排走导电电子，从而在其原来的地方剩下正离子。N沟道的一些电子被耗尽，因此沟道的导电性下降。加到栅极上的负电压越大，n沟道中电子耗尽得越多。在足够大的负栅一源电压耐下，沟道全部耗尽，漏极电流为0。

           
    和n沟道JFET -样，对于之间的电源电压，n沟道D-MOSFET传导漏电流。另外，对于高于值，D-MOSFET导通。
    增强型的管子如图17.36(b)所示。栅极加正电压时，更多的导电电子被吸引到沟道中，因此沟道的导电性得到提高（增强）。
    图17. 36  n沟道D-MOSFET的工作
    图17.37中给出了n沟道和p沟道耗尽型／增强型MOSFET的电路符号。用箭头指示出的衬底通常在内部与源极相连。朝里的衬底箭头表示n沟道，朝外的衬底箭头表示p沟道。