图16. 16是二极管的电压与电流的关系曲线，称为V-I特性曲线。RB551V-30 TE-17图形的右上方表示正向偏置的情况。正如所见，当正向偏压(VF)小于势垒电位时，有一个非常小的正向电流(。当正向偏压接近势垒电位(硅管为0.7 V)时，电流开始增加。一旦正向偏压达到势垒电位，则电流急剧增加，必须用一个串联电蛆进行限流。正向偏置图16.16  通用二极管的V-I特性曲线  的二极管上的电压保持在近似等于势垒电位的电压上。

          
    提示  可以利用右面的电路将正向偏置的二极管的V-J特性曲线绘于示波器上。用通道1测量二极管上的电压，用通道2测量与电流成正比的信号。必须将示波器设置到X-Y模式。信号源提供一个频率为50 Hz、峰值为5V，的锯齿波或三角波、其接地必须和示波器的接地相同。为了使所显示曲线具有正确的方向，通道2必须反相（如右图所示）。
    图像的左下方表示反向偏置的情况。当反向偏压向左边增加时，电流维持在0附近，直至达到反向击穿电压(VR)为止。当发生反向击穿时，存在一个大反向电流，如果不进行限流，该电流就会毁坏二极管。在典型情况下，大多数整流二极管的击穿电压都大于50V。请记住，对于大多数二极管而言，都不应该让其工作于反向击穿状态。