要使三极管正常放大交流信号，除了需要满是内部（结构）条件外，XC2C64A-7CPG56C还需要满足外部条件：发射结正偏，集电结反偏。图1.3.2是一个处于放大状态的NPN型三极管内部载流子的传输过程。电源VBB使发射结处于正向偏置，发射区的多子电子将不断通过发射结扩散到基区，形成发射结电子扩散电流IEN，其方向与电子扩散的方向相反；同时基区的多子空穴也要扩散到发射区，形成空穴电流IEP，其方向与空穴扩散的方向相同。IEN和IEP -起构成受发射结正向电压控制的发射结电流IE，即IE= IEN+IEP。由于发射区掺杂浓度远大于基区，所以IEP很小，IE～JEN。

              
    发射区的电子到达基区后，由于浓度差，且基区很薄，电子很快到达集电结。在扩散过程中，有一部分电子与基区的空穴相遇而复合，同时电源Ⅵ弧不断向基区补充空穴，形成基区复合电流/BN。由于基区掺杂浓度低且薄，复合的电子很少，即J。N很小。

               
    电源VcC使集电结处于反向偏置，有利于少子的漂移运动，使基区中到达集电结边缘的电子很快漂移过集电结，被集电区收集形成ICN。同时基区自身的少子电子和集电区少子空穴也要向对方区域漂移，形成反向漂移电流JcBO．所以工c—ICN+ICBO。ICBO的大小取决于基区和集电区的少子浓度，数值很小，但受温度影响很大，易使管子工作不稳定。