CMOS反相器具有以下的特点：MT28F320J3RG-11MET静态功耗低，动态功耗接近逻辑摆：幅约为UD，具南较大悄、逻辑于LSUL电路（低功耗肖特基电路）；摆幅；电路抗干扰能力强；工作速度快，高速CMOS电路的工作速度接近于LSTTL电路；工作电压范围宽，4000系列的电源电压范围为3N18V，74HC系列的电源电压范围为2—6V;工艺复杂，成本高。
    以CMOS反相器为基础，构成的CMOS与非门电路如图4-11所示。它由两个P沟道MOS管和两个N沟道MOS管构成。负载管P沟道MOS管VT3与VT4并联，驱动管N沟道MOS管VT1与Vrl3串联。该电路具有与非功能，逻辑表达式为F= AB。
    以CMOS反相器为基础，构成的CMOS或非门电路如图4-12所示。它由两个P沟道MOS管和两个N沟道MOS管构成。负载管P沟道MOS管VT3与VT4串联，驱动管N沟道MOS管VT1与Vrl2并联。该电路具有或非功能，逻辑表达式为F=A+B。
    图4 - 11    CMOS与非门电路    图4- 12    CMOS或非门电路

          
    由于组成门电路的MOS管的串并联关系，会导致MOS管导通电阻的变化，破坏了CMOS电路的对称性，引起电路噪声容限的降低，输出波形不对称。为了解决这些问题．在上述基本CMOS门电路的基础上，在电路输入、A输出端增加反相器，从而构成了带缓冲的CMOS门电路。图4-13为带缓冲级的CMOS或非门。