cMos门电路，N、P沟道增强型，
    工艺简单功耗低，应用最广受人称。
    反相器为基础，构成与非、或非门。
    电路使用有规则，各项规则应记清。
    CMOS门电路是以增强型P沟道MOS管和增强型N沟道MOS管构成的互补型MOS器件，MT28F320J3RP-11ET具有功耗低、抗干扰能力强、开关速度快、制造工艺简单等优点，是目前应用最广泛的一种数字集成电路。
    CMOS反相器电路如图4-10 (a)所示。由N沟道增强型MOS管VT1和P沟道增强型MOS管lrl2串联而成。其中VT2管起负载作用，称为负载管；VT1称为驱动管。VT1与VT2的漏极接在一起，作为反相器的输出端。两管的栅极并在一起，作为反相器的输入端。VT2的源极接U，VT1的源极接地。当输入低电平时，输出为高电平；当输入为高电平时，输出为低电平。输入与输出是反相（非）的关系。

           
    在实际的CMOS反相器电路中，为了防止击穿，需在电路中加保护措施，如图4-10 (b)所示。VD1和VD2能够有效地保护器件的氧化层。电路正常工作时，VD1和VD2开路，对电路的正常工作不产生影响。其中Cl和C2是VT1和VT2的等效栅权电容；RS、Cl和C2组成一积分电路，起到抑制输入端干扰的作用。