放大器类
发布时间:2013/9/20 18:00:12 访问次数:773
(1)宽带直流放大器（第9届，2009年）
设计并制作一个宽带直流放大器及所用的直流稳压电源。M25P16-VMF6TP放大器的输入电阻≥50 n，负载电阻(50±2)Q。最大电压增益Av≥60 dB，输入电压有效值VI≤10 mV。在Av =60 dB时，输出端噪声电压的峰峰值V ONPP≤0.3 V。3 dB通频带0～10 MHz；在0～9 MHz通频带内增益起伏≤1 dB。最大输出电压正弦波有效值VO≥10 V，输出信号波形无明显失真。电压增益Av可预置并显示，预置范围为0～60 dB，步距为5 dB(也可以连续调节)；放大器的带宽可预置并显示（至少5 MHz、10 MHz两点）。
(2)数字幅频均衡功率放大器（第9届，2009年）
设计并制作一个数字幅频均衡功率放大器。该放大器包括前置放大、带阻网络、数字幅频均衡和低频功率放大电路。前置放大电路电压放大倍数不小于400倍(输入正弦信号电压有效值<10 mV)，-1 dB通频带为20 Hz～20 kHz，输出电阻为600 Q。制作功率放大电路，对数字均衡后的输出信号进行功率放大，要求末级功放管采用分立的大功率MOS晶体管。当输入正弦信号电压有效值为5 mV、功率放大器接8 Q电阻负载时，要求输出功率≥10 W，输出电压波形无明显失真。功率放大电路的-3 dB通频带为20 Hz～20 kHz。功率放大电路的效率≥60%。
(3)佤频功率放大器（第9届，2009年，高职高专组）
设计并制作一个低频功率放大器，要求末级功放管采用分立的大功率MOS晶体管。输入电阻为600 Q，通频带为10 Hz～50 kHz。当输入正弦信号电压有效值为5 mV时，在8 Q电阻负载（一端接地）上，输出功率≥5W，输出波形无明显失真。在通频带内低频功率放大器失真度<1%。设计一个带阻滤波器，阻带频率范围为40～60 Hz。在50 Hz频率点输出功率衰减≥6 dB。
设计并制作一个宽带直流放大器及所用的直流稳压电源。M25P16-VMF6TP放大器的输入电阻≥50 n，负载电阻(50±2)Q。最大电压增益Av≥60 dB，输入电压有效值VI≤10 mV。在Av =60 dB时，输出端噪声电压的峰峰值V ONPP≤0.3 V。3 dB通频带0～10 MHz；在0～9 MHz通频带内增益起伏≤1 dB。最大输出电压正弦波有效值VO≥10 V，输出信号波形无明显失真。电压增益Av可预置并显示，预置范围为0～60 dB，步距为5 dB(也可以连续调节)；放大器的带宽可预置并显示（至少5 MHz、10 MHz两点）。
(2)数字幅频均衡功率放大器（第9届，2009年）
设计并制作一个数字幅频均衡功率放大器。该放大器包括前置放大、带阻网络、数字幅频均衡和低频功率放大电路。前置放大电路电压放大倍数不小于400倍(输入正弦信号电压有效值<10 mV)，-1 dB通频带为20 Hz～20 kHz，输出电阻为600 Q。制作功率放大电路，对数字均衡后的输出信号进行功率放大，要求末级功放管采用分立的大功率MOS晶体管。当输入正弦信号电压有效值为5 mV、功率放大器接8 Q电阻负载时，要求输出功率≥10 W，输出电压波形无明显失真。功率放大电路的-3 dB通频带为20 Hz～20 kHz。功率放大电路的效率≥60%。
(3)佤频功率放大器（第9届，2009年，高职高专组）
设计并制作一个低频功率放大器，要求末级功放管采用分立的大功率MOS晶体管。输入电阻为600 Q，通频带为10 Hz～50 kHz。当输入正弦信号电压有效值为5 mV时，在8 Q电阻负载（一端接地）上，输出功率≥5W，输出波形无明显失真。在通频带内低频功率放大器失真度<1%。设计一个带阻滤波器，阻带频率范围为40～60 Hz。在50 Hz频率点输出功率衰减≥6 dB。
(1)宽带直流放大器（第9届，2009年）
设计并制作一个宽带直流放大器及所用的直流稳压电源。M25P16-VMF6TP放大器的输入电阻≥50 n，负载电阻(50±2)Q。最大电压增益Av≥60 dB，输入电压有效值VI≤10 mV。在Av =60 dB时，输出端噪声电压的峰峰值V ONPP≤0.3 V。3 dB通频带0～10 MHz；在0～9 MHz通频带内增益起伏≤1 dB。最大输出电压正弦波有效值VO≥10 V，输出信号波形无明显失真。电压增益Av可预置并显示，预置范围为0～60 dB，步距为5 dB(也可以连续调节)；放大器的带宽可预置并显示（至少5 MHz、10 MHz两点）。
(2)数字幅频均衡功率放大器（第9届，2009年）
设计并制作一个数字幅频均衡功率放大器。该放大器包括前置放大、带阻网络、数字幅频均衡和低频功率放大电路。前置放大电路电压放大倍数不小于400倍(输入正弦信号电压有效值<10 mV)，-1 dB通频带为20 Hz～20 kHz，输出电阻为600 Q。制作功率放大电路，对数字均衡后的输出信号进行功率放大，要求末级功放管采用分立的大功率MOS晶体管。当输入正弦信号电压有效值为5 mV、功率放大器接8 Q电阻负载时，要求输出功率≥10 W，输出电压波形无明显失真。功率放大电路的-3 dB通频带为20 Hz～20 kHz。功率放大电路的效率≥60%。
(3)佤频功率放大器（第9届，2009年，高职高专组）
设计并制作一个低频功率放大器，要求末级功放管采用分立的大功率MOS晶体管。输入电阻为600 Q，通频带为10 Hz～50 kHz。当输入正弦信号电压有效值为5 mV时，在8 Q电阻负载（一端接地）上，输出功率≥5W，输出波形无明显失真。在通频带内低频功率放大器失真度<1%。设计一个带阻滤波器，阻带频率范围为40～60 Hz。在50 Hz频率点输出功率衰减≥6 dB。
设计并制作一个宽带直流放大器及所用的直流稳压电源。M25P16-VMF6TP放大器的输入电阻≥50 n，负载电阻(50±2)Q。最大电压增益Av≥60 dB，输入电压有效值VI≤10 mV。在Av =60 dB时，输出端噪声电压的峰峰值V ONPP≤0.3 V。3 dB通频带0～10 MHz；在0～9 MHz通频带内增益起伏≤1 dB。最大输出电压正弦波有效值VO≥10 V，输出信号波形无明显失真。电压增益Av可预置并显示，预置范围为0～60 dB，步距为5 dB(也可以连续调节)；放大器的带宽可预置并显示（至少5 MHz、10 MHz两点）。
(2)数字幅频均衡功率放大器（第9届，2009年）
设计并制作一个数字幅频均衡功率放大器。该放大器包括前置放大、带阻网络、数字幅频均衡和低频功率放大电路。前置放大电路电压放大倍数不小于400倍(输入正弦信号电压有效值<10 mV)，-1 dB通频带为20 Hz～20 kHz，输出电阻为600 Q。制作功率放大电路，对数字均衡后的输出信号进行功率放大，要求末级功放管采用分立的大功率MOS晶体管。当输入正弦信号电压有效值为5 mV、功率放大器接8 Q电阻负载时，要求输出功率≥10 W，输出电压波形无明显失真。功率放大电路的-3 dB通频带为20 Hz～20 kHz。功率放大电路的效率≥60%。
(3)佤频功率放大器（第9届，2009年，高职高专组）
设计并制作一个低频功率放大器，要求末级功放管采用分立的大功率MOS晶体管。输入电阻为600 Q，通频带为10 Hz～50 kHz。当输入正弦信号电压有效值为5 mV时，在8 Q电阻负载（一端接地）上，输出功率≥5W，输出波形无明显失真。在通频带内低频功率放大器失真度<1%。设计一个带阻滤波器，阻带频率范围为40～60 Hz。在50 Hz频率点输出功率衰减≥6 dB。
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