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静电敏感器件的分级

发布时间:2013/9/9 20:45:38 访问次数:4152

    对静电反应敏感的器件称为静电敏感元器件( SSD)。SN74ALS191ANSR静电敏感器件主要是半导体器件、超大规模集成电路,特别是金属化膜半导体(MOS集成电路电路),例如肖特基垫垒二极管、点接触、二极管等微波器件、MOSFET器件、声表面波(SAW)器件、结型场效应晶体管(JFET)、电荷耦合器件(CCD)、精密稳压二极管、运算放大器(OPAMP)、薄膜电阻器、MOS集成电路、使用SSD元器件构成的混合电路、超高速集成电路(UHSIC)及可控硅整流器等。静电敏感器件的静电承受能力与器件本身的尺寸、结构以及所使用的材料有着密切的关系。
    根据国家军用标准《电子产品防静电放电控制大纲》的分级方法可将静电敏感器件分为3级。静电敏感度在0~1999 V的元器件为1级;静电敏感度在2 000~3 999 V的元器件为2级;静电敏感度在4000~15 999 V的元器件为3级;而静电敏感度超过3级的元器件、组件和设备被认为非静电敏感产品。根据SSD分级,可针对不同的SSD器件,采取不同的静电防护措施。
    对静电反应敏感的器件称为静电敏感元器件( SSD)。SN74ALS191ANSR静电敏感器件主要是半导体器件、超大规模集成电路,特别是金属化膜半导体(MOS集成电路电路),例如肖特基垫垒二极管、点接触、二极管等微波器件、MOSFET器件、声表面波(SAW)器件、结型场效应晶体管(JFET)、电荷耦合器件(CCD)、精密稳压二极管、运算放大器(OPAMP)、薄膜电阻器、MOS集成电路、使用SSD元器件构成的混合电路、超高速集成电路(UHSIC)及可控硅整流器等。静电敏感器件的静电承受能力与器件本身的尺寸、结构以及所使用的材料有着密切的关系。
    根据国家军用标准《电子产品防静电放电控制大纲》的分级方法可将静电敏感器件分为3级。静电敏感度在0~1999 V的元器件为1级;静电敏感度在2 000~3 999 V的元器件为2级;静电敏感度在4000~15 999 V的元器件为3级;而静电敏感度超过3级的元器件、组件和设备被认为非静电敏感产品。根据SSD分级,可针对不同的SSD器件,采取不同的静电防护措施。

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