场效应晶体管(Field Effect Transistor)简称场效应管，缩写FET。DS2900-3场效应管是又一种半导体放大器件，它是20世纪60年代后发展起来的一种器件。
    场效应管不仅具有晶体管的体积小、省电、耐用等优点，更具有输入阻抗很高(108～109Q)、噪声小、热稳定性好、功耗低、动态范围大、抗辐射能力强、易于集成。

    1．场效应管实物照片。
    如表10-1所示是几种场效应管实物照片示意图。
    表10-1  几种场效应管实物照片示意图

          
    2．场效应管种类解说
    绝缘栅场效应管的栅极G与源极S、漏极D是绝缘的，因此称它为绝缘栅场效应管。
    (1)结型场效应管用JFET  (Junction Field Effect Transistor)表示，结型场效应管有两个PN结。
    (2)绝缘栅场效应管用JGFET(Junction Gate Field Effect Transistor)表示。绝缘栅场效应管栅极与其他电极完全绝缘。在绝缘栅场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属一氧化物一半导体场效应管MOSFET），还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最新的rrMOS场效应管、VMOS功率模块等。
    如表10-2所示是结型和绝缘栅场效应管分类与结构示意图。
    表10-2结型和绝缘栅场效应管分类与结构示意图