低频小信号响应
发布时间:2013/7/30 20:18:07 访问次数:895
当采用近似大小的器件和50kC1负反馈电阻时，对于BJT和MOS，PQ1CZ21H其大小分别近似为2.55V和2.6V（参考负反馈CE／CS晶体管的低频小信号部分，讨论负反馈跨导和它的负反馈等效值）。
虽然差分对可以不处理共模电压口。M但是任意扩展u。M的直流值最终将使电路中一个或者多个晶体管偏离它们的高增益区（即对于BJT进入饱和，对于MOSFET进入三极管区），降低电路的整体增益性能。例如，在N型差分对中，V。，M减少会降低共射或共源耦合点电压（在它之下VBE或Vc），限制尾电流偏置电路到更低的电压，这样做的极端情况将使偏置晶体管进入三极管区而恶化，nas。类似地，更高的电压使共射或共源耦合点到更高的电压，这样做的极端情况会使一个或两个差分对的晶体管进入低增益区（即三极管区）。因此尾电流的最小电压和负载的最大电压(即Vl.oad,max)）限制了电路工作的输入共模电压范围(ICMR)：
虽然将体极连接到源极消除了体效应，但这样做会使源极暴露在共同的衬底噪声下，把体极单独接到一个电压则不会。然而，把体接到电源会增加输入对的有效阈值电匿(VT)。增加VI、将降低尾电流晶体管的电压，从而降低l(、MR，因为此时在尾电流晶体管进入三极管区之前V。M和电源之间存在更高的压差。有趣的是，相同地增加VT同样扩大了ICMR，因为如今在一个或两个差分对晶体管进入三极管区之前，和负载之间必定存在更低的裕度。
低频小信号响应
确定差分对的小信号交流特性时，分解成差分交流输入信号Vid和共模交流输入信号是非常有用的。分别分析它们时，先分析其中一个且假设另一个为o（反之亦然），然后通过叠加反馈耦合。在仅仅只有差分信号的情况下，因为差分电压的相等但反相部分作用在差分对的输入端（且尾电流源I}3ias仍为常量），输出电流同样是相等且反相。产生的共射／源交流电压等于O是因为流过RT，的净电流为O，此电压是尾电流在等效输出电阻（即Rr）上的欧姆压降。那么，共射／源极点变成差分信号的交流虚地。然而，注意到这仅仅对差分信号有效，其中的相同和相反的部分在电路各自的输入端。
对于差分信号，差分对的小信号等效电路分觯为两个CE/CS晶体管放大器，每一个拥有一半的输入信号。它们各自的小信号参数相等，因为它们的偏置情况（即集电极／漏极电流和基极一发射极／栅极一源极电压）和物理特性相同一两个晶体管设计匹配。因为它的基极／栅极的小信号电压仅有一半到输入，经过每一个晶体管的差分增益（即AD1和AD2）是一个基本CE/CS增益级的一半.
虽然差分对可以不处理共模电压口。M但是任意扩展u。M的直流值最终将使电路中一个或者多个晶体管偏离它们的高增益区（即对于BJT进入饱和，对于MOSFET进入三极管区），降低电路的整体增益性能。例如，在N型差分对中，V。，M减少会降低共射或共源耦合点电压（在它之下VBE或Vc），限制尾电流偏置电路到更低的电压，这样做的极端情况将使偏置晶体管进入三极管区而恶化，nas。类似地，更高的电压使共射或共源耦合点到更高的电压，这样做的极端情况会使一个或两个差分对的晶体管进入低增益区（即三极管区）。因此尾电流的最小电压和负载的最大电压(即Vl.oad,max)）限制了电路工作的输入共模电压范围(ICMR)：
虽然将体极连接到源极消除了体效应，但这样做会使源极暴露在共同的衬底噪声下，把体极单独接到一个电压则不会。然而，把体接到电源会增加输入对的有效阈值电匿(VT)。增加VI、将降低尾电流晶体管的电压，从而降低l(、MR，因为此时在尾电流晶体管进入三极管区之前V。M和电源之间存在更高的压差。有趣的是，相同地增加VT同样扩大了ICMR，因为如今在一个或两个差分对晶体管进入三极管区之前，和负载之间必定存在更低的裕度。
低频小信号响应
确定差分对的小信号交流特性时，分解成差分交流输入信号Vid和共模交流输入信号是非常有用的。分别分析它们时，先分析其中一个且假设另一个为o（反之亦然），然后通过叠加反馈耦合。在仅仅只有差分信号的情况下，因为差分电压的相等但反相部分作用在差分对的输入端（且尾电流源I}3ias仍为常量），输出电流同样是相等且反相。产生的共射／源交流电压等于O是因为流过RT，的净电流为O，此电压是尾电流在等效输出电阻（即Rr）上的欧姆压降。那么，共射／源极点变成差分信号的交流虚地。然而，注意到这仅仅对差分信号有效，其中的相同和相反的部分在电路各自的输入端。
对于差分信号，差分对的小信号等效电路分觯为两个CE/CS晶体管放大器，每一个拥有一半的输入信号。它们各自的小信号参数相等，因为它们的偏置情况（即集电极／漏极电流和基极一发射极／栅极一源极电压）和物理特性相同一两个晶体管设计匹配。因为它的基极／栅极的小信号电压仅有一半到输入，经过每一个晶体管的差分增益（即AD1和AD2）是一个基本CE/CS增益级的一半.
当采用近似大小的器件和50kC1负反馈电阻时，对于BJT和MOS，PQ1CZ21H其大小分别近似为2.55V和2.6V（参考负反馈CE／CS晶体管的低频小信号部分，讨论负反馈跨导和它的负反馈等效值）。
虽然差分对可以不处理共模电压口。M但是任意扩展u。M的直流值最终将使电路中一个或者多个晶体管偏离它们的高增益区（即对于BJT进入饱和，对于MOSFET进入三极管区），降低电路的整体增益性能。例如，在N型差分对中，V。，M减少会降低共射或共源耦合点电压（在它之下VBE或Vc），限制尾电流偏置电路到更低的电压，这样做的极端情况将使偏置晶体管进入三极管区而恶化，nas。类似地，更高的电压使共射或共源耦合点到更高的电压，这样做的极端情况会使一个或两个差分对的晶体管进入低增益区（即三极管区）。因此尾电流的最小电压和负载的最大电压(即Vl.oad,max)）限制了电路工作的输入共模电压范围(ICMR)：
虽然将体极连接到源极消除了体效应，但这样做会使源极暴露在共同的衬底噪声下，把体极单独接到一个电压则不会。然而，把体接到电源会增加输入对的有效阈值电匿(VT)。增加VI、将降低尾电流晶体管的电压，从而降低l(、MR，因为此时在尾电流晶体管进入三极管区之前V。M和电源之间存在更高的压差。有趣的是，相同地增加VT同样扩大了ICMR，因为如今在一个或两个差分对晶体管进入三极管区之前，和负载之间必定存在更低的裕度。
低频小信号响应
确定差分对的小信号交流特性时，分解成差分交流输入信号Vid和共模交流输入信号是非常有用的。分别分析它们时，先分析其中一个且假设另一个为o（反之亦然），然后通过叠加反馈耦合。在仅仅只有差分信号的情况下，因为差分电压的相等但反相部分作用在差分对的输入端（且尾电流源I}3ias仍为常量），输出电流同样是相等且反相。产生的共射／源交流电压等于O是因为流过RT，的净电流为O，此电压是尾电流在等效输出电阻（即Rr）上的欧姆压降。那么，共射／源极点变成差分信号的交流虚地。然而，注意到这仅仅对差分信号有效，其中的相同和相反的部分在电路各自的输入端。
对于差分信号，差分对的小信号等效电路分觯为两个CE/CS晶体管放大器，每一个拥有一半的输入信号。它们各自的小信号参数相等，因为它们的偏置情况（即集电极／漏极电流和基极一发射极／栅极一源极电压）和物理特性相同一两个晶体管设计匹配。因为它的基极／栅极的小信号电压仅有一半到输入，经过每一个晶体管的差分增益（即AD1和AD2）是一个基本CE/CS增益级的一半.
虽然差分对可以不处理共模电压口。M但是任意扩展u。M的直流值最终将使电路中一个或者多个晶体管偏离它们的高增益区（即对于BJT进入饱和，对于MOSFET进入三极管区），降低电路的整体增益性能。例如，在N型差分对中，V。，M减少会降低共射或共源耦合点电压（在它之下VBE或Vc），限制尾电流偏置电路到更低的电压，这样做的极端情况将使偏置晶体管进入三极管区而恶化，nas。类似地，更高的电压使共射或共源耦合点到更高的电压，这样做的极端情况会使一个或两个差分对的晶体管进入低增益区（即三极管区）。因此尾电流的最小电压和负载的最大电压(即Vl.oad,max)）限制了电路工作的输入共模电压范围(ICMR)：
虽然将体极连接到源极消除了体效应，但这样做会使源极暴露在共同的衬底噪声下，把体极单独接到一个电压则不会。然而，把体接到电源会增加输入对的有效阈值电匿(VT)。增加VI、将降低尾电流晶体管的电压，从而降低l(、MR，因为此时在尾电流晶体管进入三极管区之前V。M和电源之间存在更高的压差。有趣的是，相同地增加VT同样扩大了ICMR，因为如今在一个或两个差分对晶体管进入三极管区之前，和负载之间必定存在更低的裕度。
低频小信号响应
确定差分对的小信号交流特性时，分解成差分交流输入信号Vid和共模交流输入信号是非常有用的。分别分析它们时，先分析其中一个且假设另一个为o（反之亦然），然后通过叠加反馈耦合。在仅仅只有差分信号的情况下，因为差分电压的相等但反相部分作用在差分对的输入端（且尾电流源I}3ias仍为常量），输出电流同样是相等且反相。产生的共射／源交流电压等于O是因为流过RT，的净电流为O，此电压是尾电流在等效输出电阻（即Rr）上的欧姆压降。那么，共射／源极点变成差分信号的交流虚地。然而，注意到这仅仅对差分信号有效，其中的相同和相反的部分在电路各自的输入端。
对于差分信号，差分对的小信号等效电路分觯为两个CE/CS晶体管放大器，每一个拥有一半的输入信号。它们各自的小信号参数相等，因为它们的偏置情况（即集电极／漏极电流和基极一发射极／栅极一源极电压）和物理特性相同一两个晶体管设计匹配。因为它的基极／栅极的小信号电压仅有一半到输入，经过每一个晶体管的差分增益（即AD1和AD2）是一个基本CE/CS增益级的一半.
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