与电阻和电容类似，二极管位置接近、方向一致、共质心、十指交叉和交叉耦合等技术都会提高其匹配性能。但是，与多晶硅电阻和电容不同的是，二极管是扩散器件，PCF8531U/2/F1不受光刻误差的影响，所以，二极管阵列周围的冗余器件（或者扩散条）将不能像多晶硅器件周围的冗余多晶硅条那样提高匹配性能。但是，扩散区边沿也会受到其周边区域扩散浓度的影响，增加冗余等距扩散条可以提高扩散区边沿浓度和寄生器件的均匀性。图2.9表示了CMOS、双极工艺或者BiCMOS工艺中PN结二极管版图俯视图：P+-源区一漏区(P+-S/D)，N-阱和N+发射区P-基极二极管。

             
    本征器件
    双极型结型晶体管(BJT)包含两个背对背的二极管，能带图如图2.10所示，其中共用的中间短区域称为基区。基区的名称来源于器件的物理实现，因为该区域作为晶体管的物理基础。与二极管的分析相同，正向偏置情况下（即uB>VE），电荷载流子扩散通过BE结。但是与二极管不同的是，由于基区宽度(W)相对于平均扩散长度较窄，反向偏置BC结的电场将少数载流子流过基区，在未进行基区复合的情况下流入集电区。因此如图2.10所示，多数N+发射区域发射的电子由N型端口收集起来，形成集电极电流zc。BE结正向偏置情况下，从基区扩散到发射区的载流子产生基区电流iB。电流iB和iB的综合形成总的发射极电流。