真空度与电离噪声
发布时间:2013/7/16 20:24:32 访问次数:959
电子管内的真空度很重要。因为管内那些起初没有带电的气体分子，可能会被飞向阳极的高速电子所撞击，被驱逐出电子后变成正的气体离子。AZ1117T-1.8这些带正电荷的离子被阳极排斥，同时又被阴极／栅极构造吸引，于是在这些离子到达之后，就会有同样数量的电子从外部通路流到地线，立即对这些离子作放电。这些离子的形成，以及阴极／栅极构造随之而进行的放电，均是随机的，因此，这个过程导致了随机噪声电流的出现，从而形成了电离噪声(ionization noise)。
只有电离噪声电流流经外接电阻，比如栅漏电阻，才会带来问题。在这个外接电阻上，电离噪声电流形成的电压遵从欧姆定律。由于电子管是压控器件（Va ocVgk或/aoc Vgk），电离噪声电压会被放大。如果栅漏电阻为零，则电离电流就不能变成一个噪声电压。
为了获得优良的噪声性能，低噪声输入级使用高肛管。由于噪声性能主要由第一级电路决定，这样，输入级之后的电路有没有使用高p管，也不会带来明显影响。但高“管的栅极丝排布细密，离子不去撞击阴极、却撞击栅极的可能性大大增加。栅漏电阻R。往往取较大的阻值，因此，就会形成明显的噪声电压，并会被电子管敢大。栅极有效地遮挡了阴极，于是，就只很少的离子撞击阴极，阴极的电离电流得以大大减小。与此同时，接地的阴极电阻凤即使没有并联退耦电容，其阻值也比栅漏电阻小。所以，阴极电路上形成的电离噪声电压得以进一步减小。高“管电路的电离噪声，主要是栅极电离噪声电流贡献的。电容耦合相比，如果采用变压器作输入耦合，则可以在低频段上，令电离噪声电流的影响减小。（在很低的频率上，变压器耦合有次级，，这是相当小的；而电容耦合则有Xc≈oo，因此，电容耦合将产生更多的呈l/f规律的噪声。）
为了尽量减小密勒电容，保证有足够的带宽，输出级电路往往使用低∥管。但低“管的栅极丝排布粗疏，离子撞击的对象更偏向于阴极。低,u管工作时，需要较高幅值的偏置电压（Vgk），因此，风的值也较大。阴极在电离电流中所占的比例增大，再加上Rk值较大，这两项因素综合之下，如果想尽量减小电离噪声电流的影响，低Ⅳ管的阴极就不能不设退耦电容。
真空度好时，可以当作是硬(hard)真空，而真空度差，则可称作软(sofi)真空。因此，英文中有时称电子管已经“变软了(gone sofi)”。在制造的时候，电子管内的空气被抽走，怛仍会留有一些空气，这些空气需要由消气剂(getter)来除掉。
只有电离噪声电流流经外接电阻，比如栅漏电阻，才会带来问题。在这个外接电阻上，电离噪声电流形成的电压遵从欧姆定律。由于电子管是压控器件（Va ocVgk或/aoc Vgk），电离噪声电压会被放大。如果栅漏电阻为零，则电离电流就不能变成一个噪声电压。
为了获得优良的噪声性能，低噪声输入级使用高肛管。由于噪声性能主要由第一级电路决定，这样，输入级之后的电路有没有使用高p管，也不会带来明显影响。但高“管的栅极丝排布细密，离子不去撞击阴极、却撞击栅极的可能性大大增加。栅漏电阻R。往往取较大的阻值，因此，就会形成明显的噪声电压，并会被电子管敢大。栅极有效地遮挡了阴极，于是，就只很少的离子撞击阴极，阴极的电离电流得以大大减小。与此同时，接地的阴极电阻凤即使没有并联退耦电容，其阻值也比栅漏电阻小。所以，阴极电路上形成的电离噪声电压得以进一步减小。高“管电路的电离噪声，主要是栅极电离噪声电流贡献的。电容耦合相比，如果采用变压器作输入耦合，则可以在低频段上，令电离噪声电流的影响减小。（在很低的频率上，变压器耦合有次级，，这是相当小的；而电容耦合则有Xc≈oo，因此，电容耦合将产生更多的呈l/f规律的噪声。）
为了尽量减小密勒电容，保证有足够的带宽，输出级电路往往使用低∥管。但低“管的栅极丝排布粗疏，离子撞击的对象更偏向于阴极。低,u管工作时，需要较高幅值的偏置电压（Vgk），因此，风的值也较大。阴极在电离电流中所占的比例增大，再加上Rk值较大，这两项因素综合之下，如果想尽量减小电离噪声电流的影响，低Ⅳ管的阴极就不能不设退耦电容。
真空度好时，可以当作是硬(hard)真空，而真空度差，则可称作软(sofi)真空。因此，英文中有时称电子管已经“变软了(gone sofi)”。在制造的时候，电子管内的空气被抽走，怛仍会留有一些空气，这些空气需要由消气剂(getter)来除掉。
电子管内的真空度很重要。因为管内那些起初没有带电的气体分子，可能会被飞向阳极的高速电子所撞击，被驱逐出电子后变成正的气体离子。AZ1117T-1.8这些带正电荷的离子被阳极排斥，同时又被阴极／栅极构造吸引，于是在这些离子到达之后，就会有同样数量的电子从外部通路流到地线，立即对这些离子作放电。这些离子的形成，以及阴极／栅极构造随之而进行的放电，均是随机的，因此，这个过程导致了随机噪声电流的出现，从而形成了电离噪声(ionization noise)。
只有电离噪声电流流经外接电阻，比如栅漏电阻，才会带来问题。在这个外接电阻上，电离噪声电流形成的电压遵从欧姆定律。由于电子管是压控器件（Va ocVgk或/aoc Vgk），电离噪声电压会被放大。如果栅漏电阻为零，则电离电流就不能变成一个噪声电压。
为了获得优良的噪声性能，低噪声输入级使用高肛管。由于噪声性能主要由第一级电路决定，这样，输入级之后的电路有没有使用高p管，也不会带来明显影响。但高“管的栅极丝排布细密，离子不去撞击阴极、却撞击栅极的可能性大大增加。栅漏电阻R。往往取较大的阻值，因此，就会形成明显的噪声电压，并会被电子管敢大。栅极有效地遮挡了阴极，于是，就只很少的离子撞击阴极，阴极的电离电流得以大大减小。与此同时，接地的阴极电阻凤即使没有并联退耦电容，其阻值也比栅漏电阻小。所以，阴极电路上形成的电离噪声电压得以进一步减小。高“管电路的电离噪声，主要是栅极电离噪声电流贡献的。电容耦合相比，如果采用变压器作输入耦合，则可以在低频段上，令电离噪声电流的影响减小。（在很低的频率上，变压器耦合有次级，，这是相当小的；而电容耦合则有Xc≈oo，因此，电容耦合将产生更多的呈l/f规律的噪声。）
为了尽量减小密勒电容，保证有足够的带宽，输出级电路往往使用低∥管。但低“管的栅极丝排布粗疏，离子撞击的对象更偏向于阴极。低,u管工作时，需要较高幅值的偏置电压（Vgk），因此，风的值也较大。阴极在电离电流中所占的比例增大，再加上Rk值较大，这两项因素综合之下，如果想尽量减小电离噪声电流的影响，低Ⅳ管的阴极就不能不设退耦电容。
真空度好时，可以当作是硬(hard)真空，而真空度差，则可称作软(sofi)真空。因此，英文中有时称电子管已经“变软了(gone sofi)”。在制造的时候，电子管内的空气被抽走，怛仍会留有一些空气，这些空气需要由消气剂(getter)来除掉。
只有电离噪声电流流经外接电阻，比如栅漏电阻，才会带来问题。在这个外接电阻上，电离噪声电流形成的电压遵从欧姆定律。由于电子管是压控器件（Va ocVgk或/aoc Vgk），电离噪声电压会被放大。如果栅漏电阻为零，则电离电流就不能变成一个噪声电压。
为了获得优良的噪声性能，低噪声输入级使用高肛管。由于噪声性能主要由第一级电路决定，这样，输入级之后的电路有没有使用高p管，也不会带来明显影响。但高“管的栅极丝排布细密，离子不去撞击阴极、却撞击栅极的可能性大大增加。栅漏电阻R。往往取较大的阻值，因此，就会形成明显的噪声电压，并会被电子管敢大。栅极有效地遮挡了阴极，于是，就只很少的离子撞击阴极，阴极的电离电流得以大大减小。与此同时，接地的阴极电阻凤即使没有并联退耦电容，其阻值也比栅漏电阻小。所以，阴极电路上形成的电离噪声电压得以进一步减小。高“管电路的电离噪声，主要是栅极电离噪声电流贡献的。电容耦合相比，如果采用变压器作输入耦合，则可以在低频段上，令电离噪声电流的影响减小。（在很低的频率上，变压器耦合有次级，，这是相当小的；而电容耦合则有Xc≈oo，因此，电容耦合将产生更多的呈l/f规律的噪声。）
为了尽量减小密勒电容，保证有足够的带宽，输出级电路往往使用低∥管。但低“管的栅极丝排布粗疏，离子撞击的对象更偏向于阴极。低,u管工作时，需要较高幅值的偏置电压（Vgk），因此，风的值也较大。阴极在电离电流中所占的比例增大，再加上Rk值较大，这两项因素综合之下，如果想尽量减小电离噪声电流的影响，低Ⅳ管的阴极就不能不设退耦电容。
真空度好时，可以当作是硬(hard)真空，而真空度差，则可称作软(sofi)真空。因此，英文中有时称电子管已经“变软了(gone sofi)”。在制造的时候，电子管内的空气被抽走，怛仍会留有一些空气，这些空气需要由消气剂(getter)来除掉。
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