栅漏电阻值的选取
发布时间:2013/7/9 19:45:04 访问次数:4284
之前，我们已看到栅漏电阻XC3S500E-4PQG208C在电路上的位置安排，但没有讲到它的取值。从历史上看，栅漏电阻在小信号电路中通常被取为1MQ的值，但在输出级中取值略变小。
尽量给栅漏电阻取较大的值，这能带来好处，个中原因有以下两个。
第一个原因是，栅漏电阻与前一级电路的输出电阻相连，构成分压器，从而带来了一些增益损失。这个损失通常很小，但会累积起来。因此，对于具有四级电路的放大器来说，如果原先没有将这些损失讦算在内，得到的整机增益就会明显比预期值小。
第二个原因是，对于给定的低频截止频率，如果栅漏电阻取值大，就可以允许在电路中使用小容量的级间耦合电容。
再者，如果我们查看电子管的规格书，将会发现其中列明了栅漏电阻允许选取的最大值。通常会给出两个值，一个是针对电路为阴极偏置方式，另一个是针对电路为栅极偏置方式，后一个值总是比前一个值小(ECC83分别为22MQ和2.2MQ)。之所以有这样的大小差别，是因为在栅极偏置方式下，电子管的工作点不够稳定。为设定栅极偏置方式的工作点，我们所安排的阳极电流和栅极电压，都要针对特定的电子管。
栅漏电阻名字上的“栅漏”，隐约揭示了电子管与这只电阻之间的相互关系。实际上，确实总有很小的漏电电流从电子管的栅极流到地。其中部分原因是，电子管的栅极总会被一些用于构造阴极发射表面的氧化物弄脏污。气体电流( gascurrent)的存在也是重要原因。气体电流之所以产生，是因为电子管内总会有残留的气体。各个气体原子的布朗运动，使得气体原子均匀散布在电子管内，因此，一些气体原子必定处于电子传送的路径中。当一个高速的电子撞击一个气体原子时，可能有足够的能量让气体原子外层的一个电子释放出去。然后，这两个电子继续沿着传送路径飞向阳极，但现在的气体原子已带有正电（因为它损失了一个电子），被阳极排斥，所以它奔向栅极或阴极。当这个带电的原子（称作离子）撞击栅极时，立即会有一个电子从栅漏电阻流过，到达栅极来为它放电。所以，气体电流也被称为离子电流(ion current)。
放电电子的流动称为漏电流，在栅漏电阻上形成了电位差，并使得栅极变为正极性。Vgk（指Vgk的绝对值——译注）因此而减小，如果栅漏电阻的阻值过大，Vgk的这个变化将变得显著，从而使得阳极电流增大。阳极电流的增大，又导致电子管内部温度升高，令处于高温下的材料释放出更多的气体。所以，离子电流进一步增大，Vgk进一步减小，阴极发射出更多的电子。如此循环，形成了一个自身不断强化的进程，直至电子管损坏。从统计的角度讲，当有更多的电子从阴极流向阳极时，电子与气体原子桕互碰撞的机会更多，因此，流到栅极的正离子电流会随着阳极电流的增大而增大。
可是，尽管栅极的离子电流令Vgk减小，导致阳极电流增大，但这些增大的阳极电流也产生了一个平衡的作用，因为它会通过阴极偏置电阻凤上压降的增大，而令Vgk增大。
尽量给栅漏电阻取较大的值，这能带来好处，个中原因有以下两个。
第一个原因是，栅漏电阻与前一级电路的输出电阻相连，构成分压器，从而带来了一些增益损失。这个损失通常很小，但会累积起来。因此，对于具有四级电路的放大器来说，如果原先没有将这些损失讦算在内，得到的整机增益就会明显比预期值小。
第二个原因是，对于给定的低频截止频率，如果栅漏电阻取值大，就可以允许在电路中使用小容量的级间耦合电容。
再者，如果我们查看电子管的规格书，将会发现其中列明了栅漏电阻允许选取的最大值。通常会给出两个值，一个是针对电路为阴极偏置方式，另一个是针对电路为栅极偏置方式，后一个值总是比前一个值小(ECC83分别为22MQ和2.2MQ)。之所以有这样的大小差别，是因为在栅极偏置方式下，电子管的工作点不够稳定。为设定栅极偏置方式的工作点，我们所安排的阳极电流和栅极电压，都要针对特定的电子管。
栅漏电阻名字上的“栅漏”，隐约揭示了电子管与这只电阻之间的相互关系。实际上，确实总有很小的漏电电流从电子管的栅极流到地。其中部分原因是，电子管的栅极总会被一些用于构造阴极发射表面的氧化物弄脏污。气体电流( gascurrent)的存在也是重要原因。气体电流之所以产生，是因为电子管内总会有残留的气体。各个气体原子的布朗运动，使得气体原子均匀散布在电子管内，因此，一些气体原子必定处于电子传送的路径中。当一个高速的电子撞击一个气体原子时，可能有足够的能量让气体原子外层的一个电子释放出去。然后，这两个电子继续沿着传送路径飞向阳极，但现在的气体原子已带有正电（因为它损失了一个电子），被阳极排斥，所以它奔向栅极或阴极。当这个带电的原子（称作离子）撞击栅极时，立即会有一个电子从栅漏电阻流过，到达栅极来为它放电。所以，气体电流也被称为离子电流(ion current)。
放电电子的流动称为漏电流，在栅漏电阻上形成了电位差，并使得栅极变为正极性。Vgk（指Vgk的绝对值——译注）因此而减小，如果栅漏电阻的阻值过大，Vgk的这个变化将变得显著，从而使得阳极电流增大。阳极电流的增大，又导致电子管内部温度升高，令处于高温下的材料释放出更多的气体。所以，离子电流进一步增大，Vgk进一步减小，阴极发射出更多的电子。如此循环，形成了一个自身不断强化的进程，直至电子管损坏。从统计的角度讲，当有更多的电子从阴极流向阳极时，电子与气体原子桕互碰撞的机会更多，因此，流到栅极的正离子电流会随着阳极电流的增大而增大。
可是，尽管栅极的离子电流令Vgk减小，导致阳极电流增大，但这些增大的阳极电流也产生了一个平衡的作用，因为它会通过阴极偏置电阻凤上压降的增大，而令Vgk增大。
之前，我们已看到栅漏电阻XC3S500E-4PQG208C在电路上的位置安排，但没有讲到它的取值。从历史上看，栅漏电阻在小信号电路中通常被取为1MQ的值，但在输出级中取值略变小。
尽量给栅漏电阻取较大的值，这能带来好处，个中原因有以下两个。
第一个原因是，栅漏电阻与前一级电路的输出电阻相连，构成分压器，从而带来了一些增益损失。这个损失通常很小，但会累积起来。因此，对于具有四级电路的放大器来说，如果原先没有将这些损失讦算在内，得到的整机增益就会明显比预期值小。
第二个原因是，对于给定的低频截止频率，如果栅漏电阻取值大，就可以允许在电路中使用小容量的级间耦合电容。
再者，如果我们查看电子管的规格书，将会发现其中列明了栅漏电阻允许选取的最大值。通常会给出两个值，一个是针对电路为阴极偏置方式，另一个是针对电路为栅极偏置方式，后一个值总是比前一个值小(ECC83分别为22MQ和2.2MQ)。之所以有这样的大小差别，是因为在栅极偏置方式下，电子管的工作点不够稳定。为设定栅极偏置方式的工作点，我们所安排的阳极电流和栅极电压，都要针对特定的电子管。
栅漏电阻名字上的“栅漏”，隐约揭示了电子管与这只电阻之间的相互关系。实际上，确实总有很小的漏电电流从电子管的栅极流到地。其中部分原因是，电子管的栅极总会被一些用于构造阴极发射表面的氧化物弄脏污。气体电流( gascurrent)的存在也是重要原因。气体电流之所以产生，是因为电子管内总会有残留的气体。各个气体原子的布朗运动，使得气体原子均匀散布在电子管内，因此，一些气体原子必定处于电子传送的路径中。当一个高速的电子撞击一个气体原子时，可能有足够的能量让气体原子外层的一个电子释放出去。然后，这两个电子继续沿着传送路径飞向阳极，但现在的气体原子已带有正电（因为它损失了一个电子），被阳极排斥，所以它奔向栅极或阴极。当这个带电的原子（称作离子）撞击栅极时，立即会有一个电子从栅漏电阻流过，到达栅极来为它放电。所以，气体电流也被称为离子电流(ion current)。
放电电子的流动称为漏电流，在栅漏电阻上形成了电位差，并使得栅极变为正极性。Vgk（指Vgk的绝对值——译注）因此而减小，如果栅漏电阻的阻值过大，Vgk的这个变化将变得显著，从而使得阳极电流增大。阳极电流的增大，又导致电子管内部温度升高，令处于高温下的材料释放出更多的气体。所以，离子电流进一步增大，Vgk进一步减小，阴极发射出更多的电子。如此循环，形成了一个自身不断强化的进程，直至电子管损坏。从统计的角度讲，当有更多的电子从阴极流向阳极时，电子与气体原子桕互碰撞的机会更多，因此，流到栅极的正离子电流会随着阳极电流的增大而增大。
可是，尽管栅极的离子电流令Vgk减小，导致阳极电流增大，但这些增大的阳极电流也产生了一个平衡的作用，因为它会通过阴极偏置电阻凤上压降的增大，而令Vgk增大。
尽量给栅漏电阻取较大的值，这能带来好处，个中原因有以下两个。
第一个原因是，栅漏电阻与前一级电路的输出电阻相连，构成分压器，从而带来了一些增益损失。这个损失通常很小，但会累积起来。因此，对于具有四级电路的放大器来说，如果原先没有将这些损失讦算在内，得到的整机增益就会明显比预期值小。
第二个原因是，对于给定的低频截止频率，如果栅漏电阻取值大，就可以允许在电路中使用小容量的级间耦合电容。
再者，如果我们查看电子管的规格书，将会发现其中列明了栅漏电阻允许选取的最大值。通常会给出两个值，一个是针对电路为阴极偏置方式，另一个是针对电路为栅极偏置方式，后一个值总是比前一个值小(ECC83分别为22MQ和2.2MQ)。之所以有这样的大小差别，是因为在栅极偏置方式下，电子管的工作点不够稳定。为设定栅极偏置方式的工作点，我们所安排的阳极电流和栅极电压，都要针对特定的电子管。
栅漏电阻名字上的“栅漏”，隐约揭示了电子管与这只电阻之间的相互关系。实际上，确实总有很小的漏电电流从电子管的栅极流到地。其中部分原因是，电子管的栅极总会被一些用于构造阴极发射表面的氧化物弄脏污。气体电流( gascurrent)的存在也是重要原因。气体电流之所以产生，是因为电子管内总会有残留的气体。各个气体原子的布朗运动，使得气体原子均匀散布在电子管内，因此，一些气体原子必定处于电子传送的路径中。当一个高速的电子撞击一个气体原子时，可能有足够的能量让气体原子外层的一个电子释放出去。然后，这两个电子继续沿着传送路径飞向阳极，但现在的气体原子已带有正电（因为它损失了一个电子），被阳极排斥，所以它奔向栅极或阴极。当这个带电的原子（称作离子）撞击栅极时，立即会有一个电子从栅漏电阻流过，到达栅极来为它放电。所以，气体电流也被称为离子电流(ion current)。
放电电子的流动称为漏电流，在栅漏电阻上形成了电位差，并使得栅极变为正极性。Vgk（指Vgk的绝对值——译注）因此而减小，如果栅漏电阻的阻值过大，Vgk的这个变化将变得显著，从而使得阳极电流增大。阳极电流的增大，又导致电子管内部温度升高，令处于高温下的材料释放出更多的气体。所以，离子电流进一步增大，Vgk进一步减小，阴极发射出更多的电子。如此循环，形成了一个自身不断强化的进程，直至电子管损坏。从统计的角度讲，当有更多的电子从阴极流向阳极时，电子与气体原子桕互碰撞的机会更多，因此，流到栅极的正离子电流会随着阳极电流的增大而增大。
可是，尽管栅极的离子电流令Vgk减小，导致阳极电流增大，但这些增大的阳极电流也产生了一个平衡的作用，因为它会通过阴极偏置电阻凤上压降的增大，而令Vgk增大。
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