检测场效应晶体管的方法
发布时间:2013/6/17 20:55:48 访问次数:612
·前缀。用字母表示,作用是对G6S-2F-Y-12V场效应晶体管进行区分。
·漏极电流。表示漏极电流ID为2A。
·沟道。表示场效应晶体管的沟道,N表示N沟道,P袁示P沟道。
·耐压值。表示栅源击穿电压VDSS等的耐压数值。
·编码。表示器件编码等。
确定场效应晶体管型号规格符合要求后,应对场效应晶体管的外观进行检查,确保外观完好,引脚无弯折、断裂等问题。通常,外观破损、形状异样、规格尺寸不统一的场效应晶体管在装配时,很容易出现装配不良的情况,不仅影响生产进度,而且会给最终组装好的产品(或电路)性能留下隐患。因此,场效应晶体管的筛选一定要仔细严格。
场效应晶体管的外观及规格参数符合要求后,还需对场效应晶体管的性能进行检测。
检测场效应晶体管的方法如图3-47所示。在对场效应晶体管进行检测时,将万用表的量程调整至“R×10”挡,如图3-47 (a)所示。然后将黑表笔搭在栅极,红表笔搭在源极,如图3-47 (b)所示,或将黑表笔搭在栅极,红表笔搭在漏极,如图3-47 (c)所示,这两种之间的电阻值时,将红、黑表笔分别搭在源极和漏极上,如图3-47 (d)所示,所测得的正、反向都有一个固定电阻值。
·前缀。用字母表示,作用是对G6S-2F-Y-12V场效应晶体管进行区分。
·漏极电流。表示漏极电流ID为2A。
·沟道。表示场效应晶体管的沟道,N表示N沟道,P袁示P沟道。
·耐压值。表示栅源击穿电压VDSS等的耐压数值。
·编码。表示器件编码等。
确定场效应晶体管型号规格符合要求后,应对场效应晶体管的外观进行检查,确保外观完好,引脚无弯折、断裂等问题。通常,外观破损、形状异样、规格尺寸不统一的场效应晶体管在装配时,很容易出现装配不良的情况,不仅影响生产进度,而且会给最终组装好的产品(或电路)性能留下隐患。因此,场效应晶体管的筛选一定要仔细严格。
场效应晶体管的外观及规格参数符合要求后,还需对场效应晶体管的性能进行检测。
检测场效应晶体管的方法如图3-47所示。在对场效应晶体管进行检测时,将万用表的量程调整至“R×10”挡,如图3-47 (a)所示。然后将黑表笔搭在栅极,红表笔搭在源极,如图3-47 (b)所示,或将黑表笔搭在栅极,红表笔搭在漏极,如图3-47 (c)所示,这两种之间的电阻值时,将红、黑表笔分别搭在源极和漏极上,如图3-47 (d)所示,所测得的正、反向都有一个固定电阻值。